- 21
- 0
- 约5.66千字
- 约 199页
- 2020-03-16 发布于上海
- 举报
2.1 晶体管;本节重点:
1. 从晶体管内部载流子的运动理解晶体管的电流控制与放大作用。
2. 掌握晶体管实现放大的内部条件与外部条件。
3. 掌握晶体管三极电流之间的关系。
4. 掌握晶体管的三种工作状态及其特点。
5. 熟记晶体管的伏安特性曲线
6. 晶体管三种状态的判断。
;(Semiconductor Transistor);;3. 分类;2.1.2 晶体管的三种连接方式
;
2.1.3 晶体管的工作状态
工作状态可分为三种:
放大状态
饱和状态
截止状态
1. 放大状态(发射结正向偏置、集电结反向偏置 ) ;发射区正偏,发射区发射电子,形成电流 IEN。;穿透电流;; ② 共基直流电流放大系数 ; (3) 晶体管的放大作用; 电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小,达到控制IC的目的,而并不是真正把微小电流放大了,因此,晶体管称为电流控制型器件。
定义 :保持工作点处UCE不变,集电极电流变化量与基极电流变化量之比,称为共发射极交流电流放大系数。即
原创力文档

文档评论(0)