NP6009SR_E南麟原厂规格书.pdf免费

下载文档

4
0
约1.53万字
约 8页
2020-03-19 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

NP6009SR_E南麟原厂规格书.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

NP6009 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP6009 uses advanced trench technology that D is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an G extremely low combination of R and Q . This DS(ON) g device is ideal for high-frequency switching and S synchronous rectification. General Features Marking and pin assignment  VDS =60V ID =13A SOP-8 RDS(ON)(Typ.)=9mΩ @VGS=10V Top View Bottom View RDS(ON)(Typ.)=11mΩ @VGS=4.5V D5  Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) D 0 D 9 3 0  Very low on-resistance R 0 DS(on) D 6 X P X 3 N X Y  150 °C operating temperature X Y Y 1 Y  100% UIS tested 5 G Application 3 S S 2 S  Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC