WM_NP2002sr_E南麟原厂规格书.pdf免费

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2020-03-19 发布于广东
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NP2002SR 20V Full-Bridge of MOSFET Description Schematic diagram The NP2002 uses advanced trench technology to N-channel P-channel provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The GN1 D1 GP1 complementary MOSFETs may be used to form a H-Bridge, and for a host of other applications. General Features  N-channel： VDS =20V,ID =3A SN SP RDS(ON)=32mΩ (typical) @ VGS=4.5V RDS(ON)=42mΩ (typical) @ VGS=2.5V GN2 D2 GP2 P-Channel： V =-20V,ID =-3A N-channel P-channel DS 55 RDS(ON)=60mΩ (typical) @ VGS=-4.5V 00 Marking and pin assignment 33 RDS(ON)=75mΩ (typical) @ VGS=-2.5V 33  Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) 11  Very low on-resistance RDS(ON) 55  150 °C operating temperature 33  Pb-free lead plating 22  100% UIS tested 88 33 Application 11 ::  Complementary MOSFET for DC FAN, Motor LL  Wireless Charging EE TT Package  SOP-8 Note：XXXX is the date code , YYYY is the wafer lot number. Ordering Information Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel NP2002SR -55°C to +150°C SOP-