WM_NP2012dr_E南麟原厂规格书.pdf免费

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2020-03-19 发布于广东
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NP2012 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP2012 uses advanced trench technology to D provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM G applications. General Features S  VDS =20V，ID =12A Marking and pin assignment RDS(ON)(Typ.)=15mΩ @VGS=2.5V RDS(ON)(Typ.)=12mΩ @VGS=4.5V DFN2*2-6L-B  High power and current handing capability （Thickness 0.55mm ）  Lead free product is acquired 55 Top View Bottom View  Surface mount package 00 33 2 1 0 2 Application P N 33 11  PWM applications 55  Load switch 33 22 NPNatlinear Power Package 88 2012NP2012  DFN2*2-6L-B 33 HF Pb 11 :: Ordering Information LL Part Numb