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太阳能电池制造工艺 ——工艺流程以及工序简介 1.前言 磷扩散层 其主要是利用硅半导体p-n结的光生伏打效应。即当太阳光照射p-n结时，便产生了电子-空穴对，并在内建电场的作用下，电子驱向n型区，空穴驱向p型区，从而使n区有过剩的电子，p区有过剩的空穴，于是在p-n结的附近形成了与内建电场方向相反的光生电场。在n区与p区间产生了电动势。当接通外电路时便有了电流输出。 硅太阳能电池的结构及其工作原理： 单晶硅太阳电池 多晶硅太阳电池 非晶硅太阳电池 下面我们就硅太阳电池的制造工艺流程以及各工序进行简单的介绍。 晶体硅太阳能电池制造的常规工艺流程主要包括：硅片清洗、绒面制备、扩散制结、等离子周边刻蚀、去PSG(磷硅玻璃) 、PECVD 减反射膜制备、电极(背面电极、铝背场和正电极) 印刷及烘干、烧结和分选测试等。同时,在各工序之间还有检测项目,主要有抽样检测制绒效果、抽样 测方块电阻、抽样测氮化硅减反射膜厚度和折射率等项目。 2. 硅太阳电池的制造工艺流程 等离子刻蚀 捷佳创单晶制绒 库特勒多晶制绒 扩 散 工序 PECVD 工序 丝网印刷 工序 制绒清洗工序 烧结 工序 去PSG工序 测试分选工序 成品硅太阳能电池 1）、我公司工序工艺流程布局： 5.沉积减反射膜（PECVD） 1.原料硅片清洗、制绒 2.高温扩散（液态扩散） 6.丝网印刷背电极 8.丝网印刷背电场 7.烘 干 9.烘 干 12.测试分选 10.丝网印刷正电极 3.等离子刻蚀 11.烧 结 4.去磷硅玻璃（去PSG） 制绒清洗工序 扩散工序 去磷硅玻璃 等离子刻蚀工序 PECVD工序 丝网印刷工序 烧结工序 测试分选工序 目前硅太阳能电池制造工序主要有： 2）、工序简介 (a).单晶制绒---捷佳创 目的与作用： （1）去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧化层。 （2）为了提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率,根据单晶硅的各向异性的特性，利用碱(KOH)与醇(IPA)的混合溶液在单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。 1. 制绒清洗工序 (b). 多晶制绒---RENA InTex 目的与作用： （1）去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧化层。 （2）有效增加硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度，提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率。 扩散的目的：制造太阳能电池的PN结。 PN结是太阳能电池的“心脏” 。 制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个区域中占优势（P型），而使施主杂质在半导体内的另外一个区域中占优势（N型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触。 2. 扩散（POCl3液态扩散） 刻蚀的目的：去除片子边缘的磷硅玻璃，使PN结不短路。 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除，这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 3. 等离子体周边刻蚀