第三章-双极型集成电路工艺与版图设计.pptVIP

第三章 双极型集成电路的工艺与版图设计;§ 3.5 横向pnp、纵向pnp晶体管的结构与特点 3.5.1 横向pnp晶体管 3.5.2 纵向pnp管（衬底pnp晶体管） § 3.6 双极型IC对材料、工艺的要求 § 3.7 双极工艺版图设计的一般规则 § 3.8 微电子集成电路的可测性设计;本章重点;§ 3.1 双极型IC的隔离技术;对通隔离技术;3.1.2 等平面隔离技术;§ 3.2 双极型晶体管制造工艺;3.2.1 泡发射极工艺;3.2.2 第二代等平面工艺;§ 3.3 集成npn管的版图设计;3.3.2 典型的晶体管版图图形;? 双基极条图形 是IC中常用的一种图形，允许通过更大的电流，其面积比单基极条稍大，所以特征频率稍低；但基极电阻为单基极条的一半，其最高振荡频率比单基极条的高。 ? ?型和?型集电极图形 增大了集电极面积，其主要特点是集电极串联电阻小，饱和压降低，可通过较大的电流，一般作输出管。 ? 双极型功率管的版图图形 采用了梳状发射极和基极结构，增宽了电流通路的截面积，允许通过更大的电流，发射区采用狭长条以减小趋边（集边）效应。;§ 3.4 双极型IC中的集成二极管;3.4.2 集成二极管的剖面示意图;六种集成二极管的特性比较; 二极管接法的选择由电路对正向压降、动态电阻、电容、存储时间和击穿电压的不同要求来决定。其中，最常用的有两种： BC结短接二极管，因为没有寄生PNP效应，且存储时间最 短，正向压降低，故一般DTL逻辑的输入端的门二极管都 采用此接法。 单独的BC结二极管，因为不需要发射结，所以面积可作得 很小，正向压降也低，且击穿电压高。;§ 3.5 横向pnp、纵向pnp晶体管的结构与特点;? 主要特点： BVEBO高，主要是由于xjc深，?epi高之故。 ? 电流放大系数?小，主要原因： a. 由于工艺限制，基区宽度不可能太小。 b. 纵向寄生pnp管将分掉部分的发射区注入电流，只有侧壁 注入的载流子才对横向pnp管的? 有贡献。 c. 基区均匀掺杂，无内建加速电场，主要是扩散运动。 d. 表面迁移率低于体内迁移率。 e. 基区的表面复合作用。 ? 频率响应差 a. 平均有效基区宽度大，基区渡越时间长。 b. 空穴的扩散系数仅为电子的1/3。;? 发生大注入时的临界电流小 a. 横向pnp的基区宽度大，外延层Nepi低，空穴扩散系数低。 ? 击穿电压主要取决于CE之间的穿通。提高击穿电压与增大电 流增益?是矛盾的。;3.5.2 纵向pnp管(衬底pnp晶体管) ;? 主要特点： 纵向pnp管的C区为整个电路的公共衬底，直流接最负电位，交流接地。使用范围有限，只能用作集电极接最负电位的射极跟随器。 ? 晶体管作用发生在纵向，各结面较平坦，发射区面积可以做得较大，工作电流比横向pnp大。 ? 衬底作集电区，不存在有源寄生效应，故可以不用埋层。 ? 外延层作基区，基区宽度较大，且硼扩散p型发射区的方块电阻较大，因此基区输运系数和发射效率较低，电流增益较低。 ? 一般外延层电阻率?epi较大，使基区串联电阻较大。可采取E、B短接的方式，使外基区电阻=0，同时减小了自偏置效应，抑制趋边效应，改善电流特性；还有助于减少表面复合的影响，提高电流增益。;? 提高衬底pnp管电流增益的措施 降低基区材料缺陷，减少复合中心数目，提高基区少子寿命。 ? 适当减薄基区宽度，采用薄外延材料。但同时应注意，一般衬底pnp管与普通的npn管做在同一芯片上，pnp基区对应npn管的集电区，外延过薄，将导致npn管集电区在较低反向集电结偏压下完全耗尽而穿通。 ? 适当提高外延层电阻率，降低发射区硼扩散薄层电阻，以提高发射结注入效率。 ? 在衬底和外延层之间加p+埋层，形成少子加速场，增加值。注意在纵向pnp管中不能加n+埋层，这样将形成少子减速场，降低?值。;§3.6 双极型IC对材料、工艺的要求 见教材第1-5页。 § 3.7 双极工艺版图设计的一般规则 见教材第355-357页。 § 3.8 微电子集成电路的可测性设计 见教材第404-405页。