第1章电力电子技术概述.pptVIP

教案编写： 肖强晖 廖无限; 第1章 电力电子技术概述 ;重点和难点 ;§1.1 电力半导体器件的发展史;1. 半导体整流管的发展;2. 晶闸管及其派生器件的发展; 1957年美国通用电气公司（GE）发明了普通（400Hz以下）的反向阻断型可控硅（Sillicon Controlled Rectifier——SCR），以后称晶闸管（Thyristor）。随后，世界各国相继开发出一系列晶闸管的派生器件，如图4所示 。 缺点：晶闸管其工作频率又比较低，致使PWM脉冲宽度调制（Pulse-width Modulation）技术难以很好地实施。通常由其构成的装置应用电路复杂，而且存在严重的“电力公害”问题。;3. 双极型晶体管（亦称功率晶体管，GTR);4 功率场效应管（MOSFET）的发展;5 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的发展;IGBT正成为高电压、大电流应用领域中GTO和IGCT的潜在竞争者。美国IR公司开发了WAPP系列，美国APT公司开发了GT系列“霹雳（Thunderbolt）型”IGBT。目前其硬开关工作频率已高达150kHz，而软开关工作频率可达300kHz，且IGBT的电流密度是相同电压等级的功率MOSFET管的2.5倍。这种IGBT器件体积小，成本低，所以正在成为高频开关电源中广泛使用的MOSFET管强有力的竞争者。 另外，逆导型IGBT和双向型IG