模拟电子技术31半导体三极管BJT汉魅huntmine高校学习的资料教育视频分享.ppt

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2020-03-23 发布于福建
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3.1.1 BJT的结构简介;3.1.1 BJT结构简介; 两种类型的三极管;按材料：硅三极管、锗三极管按用途：高频管、低频管、功率管、开关管 (国标) ：国产三极管的命名方案;3.1.2 BJT的电流分配与放大原理;三极管的放大原理归结为外部条件：发射结正偏，集电结反偏内部机制：载流子传输 ;载流子的传输过程;由;（3）共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;;电压增益（电压放大倍数）;若;+;两个条件（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;+;①死区 ;饱和区：特征－IC明显受VCE控制该区域内，一般VCE＜0.7V(硅管)。即处于发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。; (1)共发射极直流电流放大系数 =IC / IB ? VCE=const; ? =?IC/?IB?vCE=const; =IC/IE ? VCB=const ; (2) 集射间反向饱和电流ICEO 基极开路时，晶体管的穿透电流。 ; ;(1) 集电极最大允许电流ICM;? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压; 极限参数决定晶体管是否能安全工作由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定晶体管安全工作区。; BJT构造与BJT类型;思考与习题;