模拟电子技术基础012的讲义二极管.ppt

1.2 半导体二极管 ◆半导体二极管是由PN结加上引出线和管壳构成的。 1、按照所用的半导体材料：可分为锗管和硅管。 2、根据其不同用途：可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。 3、按照管芯结构：可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 一、二极管的分类 PN结面积大，用于 工频大电流整流电路。 PN结面积小，结电容小， 用于高频小电流电路。 往往用于集成电路制造工艺中。 结面积大，则用于大功率整流。 结面积小，则用于高频、脉冲 和开关电路中。 二、二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示 当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： ①当0＜V＜Von时，正向电流为零，Vth称为开启电压。 ②当V＞Von时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的Von=0.5 V左右， 锗二极管的Von=0.1 V左右。 当V＜0即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： ①当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 ②当V≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。这个特性也称反向击穿特性。 温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流急剧增加。 三、二极管的参数 　① 最大整流电流IF 　② 反向击穿电压VBR 由于电流通过PN结，使得管子发热，电流达到一定程度，管子因过热而烧坏。 　③最大反向工作电压VRM 指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 指管子反向击穿时的电压。 在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 　　 ⑤ 正向压降VF 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6V～0.8V；锗二极管约0.1V～0.3V。 　　⑥ 最高工作频率fM 二极管工作的上限频率，超过该频率，结电容起作用，二极管将不能很好的体现单向导电性。 　 ④ 反向电流IR 指管子未击穿之前的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。 由于反向电流与温度有关，所以使用二极管时注意温度的影响。 四、二极管等效电路 ◆理想模型 电源电压远比二极管的压降大时可以认为：正向偏置时，二极管的管压降为零伏；反向偏置时，认为它的电阻无穷大，电流为零。 二极管是非线性器件，为了便于分析，常在一定的条件下，用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管。该电路成为二极管的等效电路。 二极管基本电路如图所示，VDD=10V，应用理想模型求解电路的VD和ID。 ID=（VDD-VD）／R = （10-0）V／10KΩ =1mA VD=0V ◆恒压降模型 当流过二极管的电流近似等于或大于1mA时，可以认为二极管导通后，管压降是恒定的，且不随电流而变；硅管为0.7伏，锗管为0.3伏。 硅二极管基本电路如图所示，VDD=10V，应用恒压降模型求解电路的VD和ID。 VD=0.7V ID=（VDD-VD）／R = （10-0.7）V／10KΩ =0.93mA ◆折线模型 为了较真实地描述二极管的V-I特性，在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着流过二极管电流的增加而增加，所以在模型中用一个电池和电阻来作进一步的近似。电池的电压为门坎电压Von，它的电阻为 硅二极管基本电路如图所示，VDD=10V，应用折线模型求解电路的VD和ID。 rD=(V-Vth)/I= (0.7-0.5)V/1mA=0.2KΩ ID=（VDD-Vth）／(R+ rD) = （10-0.5）V／(10+0.2)KΩ =0.931mA VD = VDD- IDR = 10-0.931×10 = 0.69V ◆小信号模型 如果二极管工作在V-I特性的某一小范围内工作时，则可以把V-I特性看成一条直线，其斜率的倒数就是微变电阻 rd 1、限幅电路：它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分。 一限幅电路如图所示，R=1KΩ，VREF=3V。当Ui=6sinωt(V)时，利用恒压降模型绘出相应的输出电压UO的波形。二极管的恒压降为0.7V。 ①Ui3.7V时D截止， UO=Ui; ②Ui3.7V时D导通， UO=0.7+3