集成电路设计与制造工艺概述.pptVIP

* 第5章 集成电路设计与制造工艺概述 概要介绍主要设计和基本工艺 硅晶圆与晶圆片 一、集成电路设计 按设计途径分：正向设计、反向设计 按设计内容分：逻辑设计、电路设计 工艺设计、版图设计 主要分类 指由电路指标、功能出发，最后由由电路进行版图设计 正向 设计 仿制原产品，确定工艺参数，推出更先进的产品。 反向 设计 根据设计途径不同分类 正向设计的设计流程为：根据功能要求画出系统框图，划分成子系统(功能块)进行逻辑设计，由逻辑图或功能块功能要求进行电路设计，由电路图设计版图，根据电路及现有工艺条件，经模拟验证再绘制总图工艺设计（如原材料选择，设计工艺参数、工艺方案，确定工艺条件、工艺流程）。如有成熟的工艺，就根据电路的性能要求选择合适的工艺加以修改、补充或组合。 这里所说的工艺条件包含源的种类、温度、时间、流量、注入剂量和能量、工艺参数及检测手段等内容。 反向设计（也称逆向设计）的设计流程为： 第一步，提取横向尺寸。主要内容：打开封装放大、照相提取复合版图，拼复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则电路模拟、验证所提取的电路画版图。 第二步，提取纵向尺寸。用扫描电镜等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。 第三步，测试产品的电学参数。电学参数包括开启电压、薄膜电阻、放大倍数、特征频