第2章半导体三极管与其应用.pptVIP

2.7.1 增强型绝缘栅场效应管的结构及其工作原理 一、结构和电路符号 增强型绝缘栅场效应管的结构示意图和电路符号如图2.7.1所示。其中图（a）为N沟道结构示意图。 图2.7.1增强型MOS管的结构与电路符号 它以一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺在P型衬底上面的左右两侧制成两个高掺杂的N区，并用金属铝在两个N区引出电极，分别作为源极（Source）s和漏极（Drain）d；然后在P型硅片表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在漏源极之间的绝缘层上再喷一层金属铝作为栅极（Gate）g； 另外在衬底引出衬底引线（Substrate）B（它通常在管内与源极s相连接）。可见这种管子的源极、漏极是绝缘的，故称绝缘栅场效应管。 这种管子由金属（Metal）、氧化物(Oxide)和半导体(Semiconductor)制成，故称为MOSFET，简称MOS管。N沟道MOS管称NMOS管，P沟道MOS管称PMOS管。 图2.7.1（b）是N沟道增强型MOS管的电路符号。图中，衬底B的箭头方向是PN结正偏时的正向电流方向。 由于衬底和高掺杂区性质的不同，还有P沟道增强型场效应管，其电路符号如图2.7.1（c）所示。 二、工作原理 本节