第四讲：淀积工艺(半导体制造技术.pptxVIP

淀 积;概 述;目 标;MSI时代nMOS晶体管的各层膜;引 言;ULSI硅片上的多层金属化;芯片中的金属层;薄膜淀积 半导体器件工艺中的“薄膜”是一种固态薄膜，薄膜的种类和制备方法在第四章中已作过简单介绍。 薄膜淀积是指任何在硅片衬底上物理淀积一层膜的工艺，属于薄膜制造的一种工艺，所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W）.;固态薄膜;薄膜特性;膜对台阶的覆盖;高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔），深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图);高的深宽比间隙;薄膜生长的步骤;膜淀积技术;化学气相淀积;化学气相淀积的设备;CVD 化学过程; 以上5中基本反应中，有一些特定的化学气相淀积反应用来在硅片衬底上淀积膜。对于某种特定反应的选择通常要考虑淀积温度、膜的特性以及加工中的问题等因素。 例如，用硅烷和氧气通过氧化反应淀积SiO2膜。反应生成物SiO2淀积在硅片表面，副产物事是氢。 SiH4 + O2 SiO2 + 2H2;CVD 反应;CVD 传输和反应步骤图; 在化学气相淀积中，气体先驱物传输到硅片表面进行吸