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第四章 CMOS数字集成电路单元;基本知识提示：;NMOS;NMOS;§4-1 MOS传输门; 思考题;4.1.1单沟传输门1. NMOS传输门;4.1.1 单沟传输门1. NMOS传输门(续);4.1.1 单沟传输门2. PMOS传输门;4.1.1 单沟传输门2. PMOS传输门(续);4.1.2 CMOS传输门;4.1.2 CMOS传输门(续);4.1.3 MOS传输门的速度;4.1.4 MOS传输门的特点;作业(不交);§4-2静态MOS反相器; 思考题;4.2.1 电阻负载NMOS反相器1. 结构和工作原理;4.2.1 电阻负载NMOS反相器2. 基本特性;;;4.2.2 E/E饱和负载NMOS反相器1. 结构和工作原理;4.2.2 E/E饱和负载NMOS反相器2.单元特点;;;;4.2.3 E/E非饱和负载NMOS反相器1. 结构和工作原理(续);4.2.3 E/E非饱和负载NMOS反相器 2.单元特点;;4.2.4自举负载NMOS反相器1. 结构和自举原理;自举过程： Vi 变为VOL ,MI截止,Vo上升， VGL随Vo上升(电容自举)，;自举过程： MB截止，ML逐渐由饱和进入 非饱和导通，上升速度加