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第06章 半导体结型光电器件;结型光电器件 简称PV（Photovolt）;结型器件和光电导器件的主要区别 产生光电变换部位不同 光敏电阻：任何部位 结型器件：结区及其附近 外加电压不同 光敏电阻：加偏压，无极性要求 结型器件：加偏压则有极性要求；也可不加 响应速度不同 光敏电阻：慢（取决于载流子产生与复合速度） 结型器件：快（取决于载流子漂移运动） 内增益不同 光敏电阻：大 结型器件：光电三极管、雪崩二极管内增益大;第06章 半导体结型光电器件;6.1结型光电器件的原理;伏安特性;伏安特性;第四象限：光伏模式 零偏 光电池 工作区域;伏安特性;等效电路 ; 开路电压Uoc和短路电流Isc;第06章 半导体结型光电器件;6.2 常用结型光电器件;用途分类：;结构：;等效电路;伏安特性;照度—电流电压特性;照度—负载特性;光谱特性;频率特性;若光电池接收正弦型光照时常用频率特性曲线表示 ;温度特性;入光面高掺杂且薄，基底轻掺杂： 透光 结区宽，以保证吸收更多的入射光 结区多在基底,光生载流子大多产生于结区,省去扩散时间;衬底材料掺杂浓度较低； 光电池，1016~1019原子数/厘米3(自身消耗能量小)。 硅光电二极管：1012~1013原子数/厘米3 (结区大) 电阻率较高； 结区面积小（结电容小，C=S/d）； 频率响应快，受光面积小（电流uA量级） 光电池受光面积大（电