直流稳压电源01.pptx

第1页/共32页8.1半导体的基础知识 物质按导电能力划分：导体、半导体、绝缘体。 半导体的导电性能： 价电子参与导电、 掺杂增强导电能力、 热敏特性、光敏特性。 一、本征半导体 1. 什么是本征半导体　 是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。第2页/共32页2. 本征半导体的导电特性 在绝对零度时，不导电。 温度（或光照）? → 价电子获得能量： 本征激发产生自由电子和空穴对。 自由电子和空穴均参与导电， 统称为载流子。 温度? →载流子的浓度? →导电能力? 。 本征半导体载流子浓度较低，导电能力较弱。 第3页/共32页二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。 (1) 掺入五价的杂质元素(如磷、锑、砷） 自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。 自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 称这种杂质半导体为 N 型半导体。 (2) 掺入三价的杂质元素(如硼、镓） 自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。 空穴为多数载流子。自由电子为少数载流子。 称这种杂质半导体为 P 型半导体。第4页/共32页－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋空间电荷自由电子 杂质半导体的示意表示法 空穴空穴自由电子 N 型半导体 P 型半导体 多数载流子:自由电子多数载流子:空穴第5页/共32页－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋三、PN 结1. PN 结的形成扩散运动 扩散运动： 多数载流子由于浓度的差别而形成的运动。 第6页/共32页－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋内电场PN 结 多数载流子的扩散运动继续进行，使 PN 结加 宽，内电场增强。 内电场越强，多数载流子的运动越难以进行。 内电场越强，少数载流子的运动越易于进行。第7页/共32页－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋－－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋－－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋－－－＋＋＋－－－＋＋漂移运动 漂移运动： 少数载流子在内电场作用下的运动。 漂移运动使 PN 结变薄，内电场削弱。 内电场削弱，又有利于多数载流子的扩散运动， 而不利于少数载流子的漂移运动。第8页/共32页－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋内电场 多数载流子的扩散运动与少数载流子的漂移运 动达到动态平衡 —— 平衡的 PN 结。第9页/共32页ＰN I外电场 R ＰN外电场 R 正向导通 2. PN 结的特性(1) 正向偏置 (2) 反向偏置 主要特性： 单向导电性。 反向截止 I≈0 第10页/共32页ＰN 阳极 阴极 8.2半导体二极管一、普通二极管 1. 基本结构 (1) 按结构分类 点接触型、面接触型。(2) 按材料分类 硅管、锗管。 (3) 按用途不同分类 普通管、整流管、开关管等。 第11页/共32页I/mA UBR OIR UDU/V 二、伏安特性 (1) 实际特性锗管 硅管 死区电压 Uth ： 硅管 0.5 V 锗管 0.1 V 正向 特性 死区 导通压降 UD ： 硅管 0.6 ~ 0.7V 锗管 0.2 ~ 0.3V 反向 特性 第12页/共32页I I OOU U (3) 理想特性 (2) 近似特性UD3. 主要参数 (1) 额定正向平均电流（最大整流电流）IF (2) 正向压降 UF (3) 最高反向工作电压 UR 一般规定为反向击穿电压的 1/2 或 1/3。 (4) 最大反向电流 IRm 第13页/共32页第14页/共32页第15页/共32页大小合适的交流脉动直流~电源变 压器 整流 电路 滤波电路交流 电源 稳定直流稳压电路直流负载8.3直流稳压电源的组成 大小不合适的交流不稳定的直流第16页/共32页将市电变换为整流所需的 交流电压 电源变压器整流电路将交流电变换为方向不变 的直流电将脉动直流电变换为平滑 的直流电压滤波电路将不稳定的直流电压变换 为稳定直流电压稳压电路第17页/共32页iOTr a++D1 +D4 u2u1uORL -D3D2 -b-8.4整流电路u2 正半周，D1 和 D3 导通， uO= u2 ；电流通路：a→ D1 → RL → D3 → b 。 u2 负半周，D2 和 D4 导通， uO=－u2 ；电流通路：b→ D2 → RL → D4 → a 。第18页/共32页u2D1 D2＋ uO －＋u2－OωtRLD4 D