AP60N02DF 60A 20V DFN33场效应管规格书.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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AP60N02DF 60A 20V DFN33场效应管规格书.pdf

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AP60N02DF 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP60N02DF uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I 60 A DS D RDS(ON) 6mΩ @ VGS 4.5V Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP60N02DF DFN3*3-8L AP60N02DF XXX YYYY 5000 Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) C Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous I 60 A D Drain Current-Continuous(T =100℃) I (100℃) 42 A C D Pulsed Drain Current IDM 210 A Maximum Power Dissipation