吉林大学-半导体材料-第四章4.1-4.2.pdfVIP

第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 4-1、硅、锗晶体中杂质的性质 4-2 、硅、锗晶体的掺杂 4-3 、硅、锗单晶的位错 4-4 、硅单晶中的微缺陷 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 4-1-1 杂质能级 杂质来源 ①多晶原料 ②生长过程中沾污 （坩埚、系统） ③人为掺入 （生长中、后期工艺中） 杂质位置 ①间隙：杂质半径相对较小的 ②替位：杂质半径相当或较大的 通常杂质原子只有成为晶体结构的一部分，即位于格 点上才能起作用； 加热可以起到晶格激活作用，如离子注入后的退火 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 4-1-1 杂质能级 杂质类型： 施主杂质 受主杂质 杂质补偿 杂质能级： 浅能级杂质：硅、锗中Ⅲ族或Ⅴ族杂质，电 离能低 ，对材料电导率影响大，起施主或受 主作用。 深能级杂质：Ⅰ副族和过渡金属元素，电离 能大，对材料电导率影响小，起复合中心或 陷阱的作用。 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 4-1-1 杂质能级 施主能级和施主电离 硅中的施主杂质 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 4-1-1 杂质能级 受主能级和受主电离 硅中的受主杂质 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 杂质在硅、锗中的能级与它的原子构造、在 晶格中所占的位置有关。 如：Ⅲ族和Ⅴ族杂质在硅、锗中占替代式晶 格位置，电离后，可提供一个受主或施主能 级； Ⅱ族的Zn或Cd杂质原子进入硅、锗中, 居替 代作用，电离后，可提供两个受主能级。 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 4-1-1 杂质能级 ND>NA NA>ND 杂质的补偿作用 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 深能级杂质Au在Ge 中的能级及杂质补偿 金是 ⅠB族元素，原子 最外层只有一个电子： 接受三个电子与邻近 四个锗原子成键：三 个受主能级 失去一个电子即受激 到导带：一个施主能 级