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第三章 场效应晶体管及其电路分析;2014年度诺贝尔物理学奖授予日本名古屋大学的赤崎勇，天野浩以及美国加州大学圣巴巴拉分校的中村修二，以表彰他们在发明一种新型高效节能光源方面的贡献，即蓝色发光二极管(LED)。
1992年，赤崎勇，天野浩终于制成第一个发蓝光的二极管。; BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。;一. 绝缘栅场效应三极管(IGFET); 绝缘栅场效应管:;N 沟道耗尽型;;P 沟道耗尽型;(二) MOS管的工作原理;;;;; 当uGS＞0V时→纵向电场
→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义：
开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的
栅源电压UGS。; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（三）伏安特性与电流方程; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：; （四）N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线;（五）P沟道耗尽型MOSFET; （六）四种MOS管的比较 ;二. 结型场效应管(JFET);（二）结型场效应管的工作原理;2、漏源电压对沟道的控制作用;1、输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数;四个区：;2、转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数;三.场效应管的主要参数;双极型和场效应型三极管的比较;;一. 直流偏置电路
保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 ;2.分压式自偏压电路;;表 各种场效应管的符号和特性曲线 ;
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