放大电路反馈电路.pptxVIP

＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4一、半导体的基础知识自由电子共价健空穴＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋5＋4＋4＋4N型半导体 半导体中电子的数目增加，这种半导体导电主要靠电子，所以称为电子型半导体，又称 N 型半导体。其中自由电子是多数载流子，空穴为少数载流子。自由电子＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋3＋4＋4＋4＋4P型半导体空穴半导体中空穴的数目增加，这种半导体导电主要靠空穴，因此称为空穴型半导体，又称P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。PN结及其单向导电性1. PN结的形成 通过一定的工艺，使一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起时，在他们的交界处会形成一个特殊区域，称为PN结。+-+--+PN2. PN结单向导电性PN结加正向电压导通、反向电压截止。空间电荷区变窄外电场内电场正向电流大集电极集电极 C C C C C CBB 集电区 集电区 基区BB 基区 发射区 发射区基极基极 E E E E发射极发射极二、半导体三极管三极管的基本结构、符号NPNPNP集电结发射结NC集电极PNB基极E发射极常见外形三极管的放大原理 以NPN型三极管为例，要使三极管具有电流放大作用，发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 。IEIB IC RCRBUCC集电结反偏，从基区扩散来的电子漂移过集电结被集电结收集，形成IC。扩散到基区的电子只有少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，其余扩散到集电结边缘。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。ICRC mAIBRB μA＋－ UCC＋ －UCEUBE UEB V V三极管的特性曲线 各电极间的电压与电流之间的关系曲线，是分析三极管电路的重要依据，可用晶体管特性图示仪直接显示，或通过测试电路测试。IB/mA20℃UCE≥1VUCE=0V0.100.080.060.040.02OUBE/V0.40.60.21.00.8输入特性：IC/mA输出特性：12010饱和区10080放大区6054020（μA）IB=0OUCE/V2截止区4饱和区：集电结、发射结正偏，饱和压降硅管UCES?0.3V。放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置，IC=?IB。截止区：发射结和集电结均反偏，IB=0 。三、基本放大电路1、放大的概念： 在电子线路中，放大的本质是在输入信号的作用下，通过半导体器件对直流电源的能量进行控制和转换，是负载从电源中获得的输出信号能量，比输入信号的能量大得多，表现为输出电压大于输入电压，或输出电流大于输入电流，或兼而有之。 三极管+UCC2、基本（共射极）放大电路的组成 RC RBC2＋C＋C1＋－VT＋－BRSRL＋－uouiuSE集电极电源UCC使集电结反偏，为电路提供能量。集电极电阻RC将变化的电流转变为变化的电压。耦合电容C1 、C2传递交流信号，同时使放大电路与信号源和负载之间直流相隔离。基极电阻RB调节偏置电流，使三极管有合适的工作点。晶体管T放大元件, 用基极电流控制集电极电流。3、基本交流电压放大电路分析分析放大电路可分为静态分析和动态分析。静态：放大电路无交流信号输入。静态分析：确定放大电路的静态值。 静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ 。动态：放大电路有交流信号输入。动态分析: 分析放大电路的放大作用。 电压放大倍数Au、输入输出电阻。+UCCRCRBICQIBQ++VTUCEQUBEQ––估算法计算静态工作点直流通路【例1】已知共射极放大电路UCC=12V， RB=300kΩ， RC=3kΩ， RL=3kΩ， RS=3kΩ，β=50，试求放大电路的静态工作点。icib+VT+RSuouo+uiRBRC－uS－－ 微变等效电路法分析动态电路共射极放大电路的交流通路。 交流通路即为ui单独作用下的电路。由于电容C1、C2足够大，容抗近似为零（相当于短路），直流电源UCC去掉（短接）。ibicic C CB＋ib ＋ibBrbe＋ uce rceube βib ube－－－ EEE E输入回路三极管的微变等效电路输出回路rce阻值很高，一般忽略不计。ii＋UCCibic＋－＋－＋－riroRSRBRCC2RLRC＋ui＋－ RLrbe RCRBuOC1＋uSuO＋－＋－ ibRSβ＋－RBRS ＋ －ui＋－RLuOuSuiuS放大电路的微变等效电路 电压放大倍数的计算输入电阻输出电阻【例2】已知共射极基本放大电路UCC=12V，RB=300kΩ，RC=3kΩ，RL=3kΩ，RS=3kΩ，β=50，试求：（1）RL接入和断开两种情况下电路的电压放大倍数；（2）输入电阻和输出电阻；（3）输出端开路时的电源电压放大倍数。（1）RL接入时的电压放大倍数RL断开时的电压放大倍数（2）输入输出电阻（3）输出