电力电子器件第1章.电力电子器件-选学内容文档.docVIP

PAGE PAGE 1 第1章 电力电子器件（选学内容，供做PPT用） 1.7 其他新型电力电子器件 1.7.1 MOS控制晶闸管（MCT） MOS控制晶闸管简称MCT（MOS Controlled Thyristor-MCT)，也叫做MOS控制的GTO，是一种集成度远高于GTO，以SCR-MOSFET复合器件为集成单元的新型大功率集成开关器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗，低驱动功率和开关速度快的特性，以及晶闸管的高电压、大电流特性结合在一起，同时又克服了晶闸管开关速度慢，不能自关断和MOSFET通态电压高的缺点。MCT也是一种电压型控制器件，且开关频率与IGBT差不多，是近年来国内外重点开发的器件之一。随着MCT制造工艺和结构的进一步完善，它将在诸多应用领域内取代GTR和晶闸管，并与IGBT形成竞争的局面。 （1）MCT与晶闸管相比较：它也有阳极A、阴极K和门极G三个电极，但门极控制原理却不相同。晶闸管是电流型控制器件，而MCT是电压型控制器件；晶闸管的控制信号加在门极与阴极两端，而MCT控制信号是加在门极与阳极两端。 （2）MCT与IGBT相比较： 1）MCT的控制信号是脉冲，只起触发作用；而IGBT的控制信号为电压，必须一直加入。 2）结构上MCT和IGBT均为四层结构，但两者存在质的差别，MCT工作时必须产生正反馈，属PNPN器件；而IGBT工作时不能引起正反馈，否则会产生擎住效应。 （3）MCT的优点： 1）电压、电流容量大；2）通态压降小；3）极高的di/dt和du/dt容量；4）开关速度快，开关损耗小；5）工作温度高（200?C以上）。 1.7.2 集成门极换流晶闸管（IGCT） 集成门极换流晶闸管（Integrated Gate Commutated Thyristor—IGCT）是一种用于巨型电力电子装置的新型电力半导体器件，也有人称为发射极关断晶闸管(ETO)。它是把MOSFET从器件内部拿到外部的MCT。IGCT是以GTO为基础，将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与门极驱动器在外围以低电感方式连接。IGCT结合了晶体管和晶闸管两种器件的优点，具备晶体管的稳定的关断能力和晶闸管的低通态损耗的特性。IGCT的电气符号见图1-28所示。 图1-28 IGCT的电气符号 图1-29 SIT的电气符号 IGCT的主要特点：1）高阻断电压；2）大导通电流；3）低导通电压降；4）可忽略不计的开关损耗；5）很小的关断时间(小于3?s) 与标准GTO相比，IGCT的最显著特点是存储时间短，因此器件之间关断时间的差异很小，可方便地将IGCT进行串并联，适合应用于大功率的范围。 1.7.3 功率模块与功率集成电路 功率集成电路（Power Integrated Circuit—PIC）是电力电子技术与微电子技术相结合的产物。PIC是将以前的电力电子器件及其配套的各种分立电路或装置（如触发电路、控制电路和各种保护电路）集成在一个芯片上，PIC中至少应该包含一个电力电子器件和一个独立功能的单片集成电路。目前PIC可分为三类: 1）高压集成电路（High Voltage IC—HVIC）：它是高耐压电力电子器件与控制电路的单片集成，用来控制功率输出。 2）智能功率集成电路（Smart Power IC—SPIC）和智能功率模块（Intelligent Power Module—IPM）：它们都是将电力电子器件与控制电路、保护电路以及传感器等电路集成在同一个集成电路中，或做成模块。IPM除具有处理功率的能力外，还具有控制功能、接口功能和保护功能。其中，控制功能的作用是自动检测某些外部参数并调整功率器件的运行状态，以补偿外部参量的偏离；接口功能的作用是接受并传输控制信号；保护功能的作用是，当出现过载、短路、过压、欠压和过热等非正常状态时，能测取相关的信号并能自动调整保护，使功率器件能工作在安全区范围内。由于高度集成化，结构紧凑，减少了分布参数及保护延时带来的问题，故IPM特别适应于电力电子技术高频化发展的需要。 3）功率专用集成电路(Special IC—SIC)：顾名思义，SIC是为某种特殊用途而设计制造的功率IC。SIC的种类繁多，有智能功率开关、无刷直流电机专用PIC、步进电机控制集成电路、单片桥式驱动器、无串通电路的桥路驱动器、单片三相逆变器等等，限于篇幅，这里就不一一赘述了。 1.7.4 静电感应晶体管（SIT） 静电感应晶体管（Static Induction Transistor—SIT）是一种新型高频大功率电力电子器件。由于SIT中门极电压和漏极电压都能通过电场控制漏极电流，类似于静电感应现象，因