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. 第五章、 半导体电子论 5.3 半导体中电子的费米统计分布 朱俊 微电子与固体电子学院 半导体的基本能带结构 本征半导体和杂质半导体 半导体中电子的费米统计分布 电导和霍耳效应 非平衡载流子 半导体电子论主要内容 PN结 MOS结构 异质结 Too much Limited time 半导体中电子的费米统计分布 O. 引言 一. 载流子的统计分布函数 二. 载流子浓度 三. 杂质激发 四. 本征激发 o. 引言 半导体——许多独特的物理性质 半导体中电子的状态及其运动特点 整流效应 光电导 效应 负电阻温度效应 光生伏特效应 霍尔效应 T =0 Ev Ec Eg o. 引言 Conduction Band Valence Band Conduction Band Valence Band T 0 本征激发 Conduction Band Valence Band ED EA 原子能级 能带 允带 禁带 允带 允带 禁带 回顾：半导体能带 T0 T0 杂质激发 在一定温度下，若没有其他外界作用，半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的 载流子产生 （本征激发、杂质电离） 载流子复合 热平衡 o. 引言 半导体的性质 (导电性