第四版第讲半导体二极管修改.pptxVIP

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  • 2020-04-24 发布于上海
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第三讲 半导体二极管一、二极管的组成二、二极管的伏安特性及电流方程三、二极管的等效电路四、二极管的主要参数五、稳压二极管 一、二极管的组成将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。点接触型:结面积小,结电容小允许的电流小工作频率高面接触型:结面积大,结电容大允许的电流大工作频率低平面型:结面积可小、可大小的工作频率高大的结允许的电流大=if(u)u=-=UiI(e1) (U26mV)常温下TST 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性开启电压击穿电压反向饱和电流温度的电压当量材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8VnA级锗Ge0.1V0.1~0.3V几~几十μAI / mA6040200.400.8U / V1. 正向特性当正向电压比较小时,正向电流很小,几乎为零。 相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关,硅管约 0.5 V 左右,锗管约 0.1 V 左右。死区电压 当正向电压超过死区电压后,随着电压的升高,正向电流迅速增大。正向特性I / mAU / V–50–250反向饱和电流– 0.02击穿电压U(BR)– 0.04反向特性2. 反向特性 二极管加反向电压,反向电流很小; 当电压超过零点几伏后,反向电流不随电压增加而增大,即饱和; 如果反向电压继续升高,大到一定数值时,反向电流会突然增大; 这种现

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