7-2 PIN二极管的基本特性.pdfVIP

§7.2 PIN二极管的基本特性 •PIN二极管结构 P+ SiO2 + SiO2 P I=N I=N + N 型基底 N+ （a）PIN二极管的简化结构 （b）经台面处理技术加 工成的PIN二极管结构 图7.1 PIN二极管结构 1 PIN结特性 •工作机理： 零偏压——由于扩散作用，P区的空穴和N区的电子分别 向I区扩散后复合，在I区边界建立起一电场，阻碍空穴和电 子的注入——等效为高阻抗； 反偏压—— 空间电荷层变厚，势垒升高，ＰＮ结的不导 电程度增加；—等效为更高阻抗值 C  S / d j I 正偏压——空间电荷层变薄，势垒降低，Ｐ层空穴以及 Ｎ层电子源源不断向Ｉ层注入并复合（平均寿命为τ p ），形 成导通状态（等离子状态）——低阻，偏流越大，阻值越低  2  qn W V 2V I A  i e A T 1  N    D p  式中， 少数载流子寿命（1s的量级）；N 是轻掺杂N半导  D p 体中间层的掺杂浓度；指数2是考虑到存在两个结，Ｖ 为正 A 偏电压，V 为零偏势垒。 T 管子的阻抗主要取决于直流偏置的极性和大小，而与微波信号幅 度几乎无关（微波信号周期远小于少子寿命）。 2 PIN二极管管芯等效电路 正偏状态 反偏状态 C R s j Rs Cj Ci R Ri j （a）正向等效电路 （c）反向未击穿时的等效电路 R R R f s j R R C r s j （b）正向简化电路 （d）反向击穿后的等效电路（R -∞） i 图7.3 实际PIN管的正反相等效电路 3