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§4.2 肖特基势垒二极管和检波二级管
•肖特基势垒二极管——金属-半导体结
金属电极
金属触丝 肖特基结
N 外延层 势垒金属
点接触结 SiO2
N+衬底 N 外延层 N+衬底
欧姆接触金属 欧姆接触金属
(a)点接触型 (b)面接触型（面结合型）
肖特基势垒二极管管芯结构
1
肖特基势垒二极管
•基本工作原理：
（1）处于不同能级状态的电子如果获得足够的能量（ E ,
F
费米能级），就会脱离原子核的束缚，逸出并形成热电子发
射；
（2） N型半导体的EFs EFM ， M-S交界处电子由N型半导体
流向金属；E 统一的结果，使M-S交界处的电子位能由N区向
F
金属区逐渐升高，从而形成一个势垒，阻挡电子从半导体流
向金属。该势垒高度就是半导体和金属的相对差值
es EFS EFM
2
e Ms ECS e s
eV FS EFM ECS
EFM EFS
肖特基势垒二极管 e|V|
E VS
W
E VS
W
•外加电压作用下的单向导电特性
+ + + +
M + S M + + + S
+ + + +
V I V I
+ +
（a）加正偏置 ——导通 (b) 加反偏置——近似截止
M-S结在外加电压作用下的情况
肖特基势垒二极管的基本物理结构是M-S结，其主要物理过
程以多数载流子的运动为基础，因此被称为“多子器件”。
多子器件——MOSFET，肖特基二极管，多数载流子其作用，
电流能力小，开关速度快；
少子器件——双极型器件，如BJT，PiN二极管，电流能力
大，开关速度相对较低；
p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
3
M-S结与PN结的特性比较
特性 肖特基结 PN结
工作 多数载流子的运动 少数
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