3-2微波双极结型晶体管（2）.pdfVIP

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2020-04-22 发布于北京
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微波硅双极性晶体管 •晶体管的增益带宽积f （即特征频率）为： T 1 1  KTC( C C ) W2 X W  f   2π  e c p  B  C B  T 2πec   qIC DpB 2vs  I I （这里假定） C E 式中，：发射极到集电极的总延迟时间；：发射  C ec e 极结电容；：基极-集电极结电容；：连接到基 C p C c  极的任何其他电容；：基区宽度；：包括基极区 W B 缓变掺杂分布影响在内的因子，对于均匀掺  2 杂，； v X W C B s 是耗尽区的渡越距离；是载流子速度；D 是 pB 基区内少子扩散系数。 1 微波硅双极性晶体管为了提高微波双极晶体管的增益带宽积，在设计和工艺上可采取一些措施： •在功率容量和可靠性允许的条件下，应尽量减小发射极面积。 •可减小基区宽度W B；缺点：电极尺寸受工艺水平限制，同时也影响器件的承受功率。 • 恰当地选择基区掺杂浓度与梯度来实现漂移场，加速载流子的运动速度。 2 低噪声双极晶体管 •功率增益 G ：功率增益定义为在某一特定测试条件下，晶体管的输出功率与输入功率之比—— GP P o i •插入增益G ：假设输入输出端口均满足无反射匹配时，微波 T 管插入到特性阻抗为Z 的传输系统中所提供的功率增益。 0 2 G  S T 21 •最大可用功率增益Gmax （或MAG）:晶体管输入和输出完全共轭匹配条件下，晶体管所能提供的最大实用功率增益，即 2