2-2微波单片集成电路（1）.pdfVIP

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2020-04-22 发布于北京
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2-2微波单片集成电路（1）.pdf

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§2.2 微波单片集成电路 •概述 •微波单片集成电路材料和加工技术 •微波单片集成电路常用的元器件 •微波单片集成电路工艺过程 • IC技术及应用 1 概述 •微波单片集成电路通常简称为 IC （ Microwave Monolithic Integrated Circuit） •定义：利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制作在一块砷化镓（GaAs）衬底上的电路。 •常用材料——GaAs材料（1）GaAs电子迁移率高，其电子迁移率是硅的6倍，最大漂移速度大，是硅的2倍，寄生电阻小，所以器件速度快；（2）GaAs能制成108 ·cm高电阻率，适合于做微波无源元件的衬底。 •单晶生长方法：水平布里奇（HB）法和液封切克劳斯基（LEC）法。 •外延生长技术常用方法：液相外延（LPE），气相外延（VPE），有机金属化学气相外延（MOCVE）和分子束外延（MBE）。 2 微波单片集成电路常用的元器件 •有源元件早期——基于锗、硅的双极性晶体管（BJT） IC——绝大多数是利用砷化镓金属半导体势垒场效应管（简称为MES FET或FET）；毫米波频段——采用高迁移率晶体管（HEMT）和异质结晶体管（HBT）；新兴InP材料——可将半导体光学器件如激光器和微波器件结合在一起，这对光电集成电路的发展以及光通信的发展会起重要作用。 3 无源平面元件 A A  （1）平面电感 W I S （a）方形 I I  （c）圆形（b）六边形 4