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2020-04-22 发布于北京
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§3.4 微波晶体管放大器的特性微波晶体管放大器的主要指标: •功率增益 •噪声系数 •稳定性 •输入和输出驻波比 VSWR） •输出功率 •工作频带 •线性度 •动态范围 1 微波晶体管的S参数 b b  S  1 S  1  11 12 a a a1 a2  1 2 a 0 a 0 b b 2 1  1 2 b2 b2  S  S  21 22  a a 1 a 0 2 a 0 2 1  •S ：晶体管输出端接匹配负载时的输入端反射系数 11 •S ：晶体管输入端接匹配负载时的输出端反射系数 22 2 •S ：晶体管输出端接匹配负载时的正向传输系数，代 21 S21 表功率增益 •S 晶体管输入端反向传输系数，代表晶体管内部反馈的 12：大小 2 微波晶体管的S参数 • 双极晶体管芯片输入阻抗在低频段为容性，频率升高后变成感性（引线电感引起）；输出基本成容性； • 加封装后电阻略微增加，电抗影响很大；双极晶体管管芯芯片及封装管子的S 值和S 值 11 22 3 微波晶体管的S参数双极晶体管在端接匹配负载时的输入、输出阻抗的最简等效电路 MESFET在端接匹配负载时的输入、输出阻抗的最简等效电路 4 微波晶体管的S参数 •双极晶体管的S 在频率低时虽较大，但随频率升高 21 而下降快，通常以6dB/倍频程速率下降，而MESFET在一定频率范围内变化较小，因此有利于宽带设计。 •双极晶体管和MESFET的S 都随频率升高而增大，但 12 MESFET的S 要小得多，这说明MESFET的内部反馈比双