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光刻工艺基础知识 PHOTO 光刻工艺基础知识 PHOTO (注：引用资料) 光刻工艺基础知识 PHOTO 　　 PHOTO 流程? 　　答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD 量测→Overlay 量测 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 搭：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩(Reticle) 上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的 性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 　　 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变， 但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过 程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 　　 　何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 　　Photo 主要流程为 ? 答： Photo 的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。 　　何谓 PHOTO 区之前处理? 答：在 Wafer 上涂布光阻之前，需要先对 Wafer 表面进行一系列的处理工作， 以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括 Bake， HDMS 等过程。其中通过 Bake 将 Wafer 表面吸收的水分去除，然后进行 HDMS(六 甲基乙硅氮烷，以增加光阻与晶体表面附着的能力)工作，以使Wafer 表面更容 易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle） 被喷涂在高速旋转的 Wafer 表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在 Wafer 的表面。 何谓 Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行 Soft Bake，其主要目的是通过 Soft Bake 将光阻中 的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力 释放。 　　何谓曝光? 答：曝光是将涂布在 Wafer 表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递 到 Wafer 上的过程。 　 何谓 PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB 是在曝光结束后对光阻进行控制精密的 Bake 的过程。其目的在于使被 曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 　　何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的 Wafer 进行成象的过程，通过这个过 程，成象在光阻上的图形被显现出来。 　　何谓 Hard Bake? 　　答：Hard Bake 是通过烘烤使显影完成后残留在 Wafer 上的显影液蒸发，并 且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。 　　何为 BARC?何为 TARC?它们分别的作用是什幺？ 　　答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC 是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC 则是被涂布在光 阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光 阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。 　　何谓 I-line？ 　　答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为 365nm， 其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。 　　何谓 DUV？ 　　答：曝光过程中用到的光，其波长为 248nm，其波长较短，因此曝光完成 后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 　　I-line 与 DUV 主要不同处为 ? 　　答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line 主要用在较落后 的制程（0.35 微米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的 Non-Critical layer。DUV 则用在先进制程的 Critical layer 上。 　　何为 Exposure Field? 　　答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域 　　何谓 Stepper? 其功能为 ? 　　答：一种曝光机，其曝光动作为 S