光学微腔特性研究及其应用（可修改）.pptVIP

回音壁式微腔（WG型微腔） 其中 ，可得 上式中 是归一化因子。再利用回音壁模式的物理特征简化上述方程，假设 微盘的外面的场处处为零，即 可得， 演示课件 回音壁式微腔（WG型微腔） 其中 是 阶贝塞尔函数的 阶零点值， 是微盘的半径， 对应模式的角向分布， 对应模式的径向分布。对于高阶贝塞尔函数而言相应的 （ 为正整数）因此上式简化为： 演示课件 回音壁式微腔（WG型微腔） 自由光谱范围 相邻纵模的波长或者频率间隔定义为自由光谱范围(Free Spectrum Range，FSR)，它是实验中判别微腔光学模式是否符合回音壁模式的一个重要依据。根据下式可得第M阶和M+1阶模式间隔为： 如果用 表示模式的有效半径，则有： 演示课件 回音壁式微腔（WG型微腔） 品质因子 品质因子(Quality factor，一般用Q表示)是光学模式的一个最基本的物理量，用于表征谐振腔中能量衰减的快慢或其存储能量的能力。Q的定义很多，不同定义之间可能相差一个常数，最普遍的定义方式： 其中U为腔内储存的总能量， 为单位时间内损耗的能量，即耗散功率， 为光场的圆频率， ，其中 为光场频率。Q可以和腔内光学模式的光子寿命以及谐振宽度联系起来，具体关系为 ， ，其中 和 分别为光子寿命和频率谐振宽度。 演示课件 回音壁式微腔制作方法 近年来不断发展的微细加工技术以及纳米技术，使得以各种天然和人工合成材料为基础制造各种特异形状的光微谐振腔成为可能。集成化的微环以及微盘谐振腔与光学晶体缺位微腔通常是使用已经比较丰富的集成电路微细加工工艺如镀膜、光刻以及刻蚀技术在基片上制作而成。在制造过程中，基片经过的制作流程基本上有三个： 演示课件 回音壁式微腔制作流程图 演示课件 基片准备 第一步包括在基片表面不同成分或者厚度的功能膜层的生成，来得到所需要的垂直方向结构。膜层的生成可根据选用材料的不同使用不同的膜层生成方式，例如分子束外延(MBE)，化学或物理气相沉积，以及膜层粘接等等。具体如何选择生成方式与所要得到的微谐振腔结构、材料以及要求的制造精度密切相关。例如，半导体材料通常要使用几步连续的生长来得到垂直结构，而高分子聚合物层只需要简单地涂敷在基片上即满足要求。 演示课件 光刻 光刻过程可将谐振腔的结构形状通过多步的光刻转移至基片表面 首先将对光敏感的光刻胶通过形状甩胶或者是提拉涂胶的方法，涂敷在基片的表面 其后，将掩模板放置在基片上，光只能从掩模板的空隙处透过，而图形处的光被挡住，将图形转移到表面的光刻胶上；依照所要求的谐振腔的形状、尺寸和制造精度的要求，可以选用不同类型的曝光手段，其中包括：可见光曝光、极紫外线曝光，X射线曝光以及电子束曝光，在曝光过程中,受到光的作用的光刻胶会产生交连或者裂解。因此在曝光以后将基片浸没在显影液中，可以去除发生反应的部分光刻胶，称之为显影。 经过如上的曝光、显影过程以后，掩模上的图形已经转移成为光刻胶图形。在图形的特定区域内，基片表面有光刻胶覆盖，而其他区域则相反。无光刻胶保护的区域用一定的刻蚀手段进行刻蚀，去除表面要求厚度的材料，形成与掩模板相类似的图形，即为刻蚀所得谐振腔图形。 演示课件 刻蚀 化学溶液腐蚀方法是一种常用的刻蚀方法，它可以选择性地融解浸没在酸性溶液中的基片暴露在外的二氧化硅部分。但是，如果要求制作的微谐振腔具有垂直或大倾斜角的侧壁，那么就要求必须使用干法刻蚀 干法刻蚀发展到现在，也已经有很多种类，其中最为广泛应用的等离子体刻蚀，其工作原理为通过射频放电导致的等离子体产生的离子与被刻蚀基片物质反应，生成可挥发的气相产物，被真空系统抽出。干法刻蚀还包括溅射刻蚀、离子铣（离子束刻蚀）、反应刻蚀以及反应离子束刻蚀。 除干法刻蚀外，还有一种刻蚀为阳极浸蚀