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§1.4 光电子发射效应 光电子发射效应：金属或半导体受光照射，如果光子能量足够大 可以使电子从材料表面逸出，此现象叫光电子发射效应。 发射出来的电子称为光电子，可以发射光电子的物体称为光 电发射体。光电子形成的电流即为光电流。 1、光电发射的基本定律 光电发射定律的依据：爱因斯坦的光量子理论 返回 h ν ? 光辐射具有粒子性，每个光子的能量是 。只要光子能量足够 大，一个光子可以激发一个电子从发射体逸出。 ? 光辐射的强度越大，光子数越多，激发的电子数也越多。因此 光电流与入射光强成正比。 1 ?入射光频率越高，光子能量越大，电子吸收光子能量后，除 了付出为逸出表面所需要的逸出功外，留下的动能越大。 由此得出光电发射的基本定律 （1） 斯托列托夫定律（光电发射第一定律） 当入射光的频率成分不变时，饱和光电流与入射的光辐射强 度成正比。 链接 （2）爱因斯坦定律（光电发射第二定律） 光电发射体发射的光电子的最大动能随入射光频率的增大 而线性增加，与入射光强无关。即爱因斯坦方程 1 2 mv2 = ν ? h max E w m：光电子质量，vmax ：出射光电子的初始速度，Ew：逸出功。 2 （３）光电发射的红限 上式中，令vmax= 0，得 Ew 1 24 hc . νo = 或 ( ) λo = = μ m h E E (eV ) w w λ o ν 、 称为红阈波长和红阈频率。此时，光电子刚能从阴极逸出 o a、金属 金属中自由电子的能量服从费米分布，电子主要占据费米能 级以下的能量状态。 金属逸出功：电子从金属中逸出需要的最小能量。 Ew = Eo – EF 表面势垒的高度 Eo： 真空中电子的最低能量状态。 红阈频率 ν o = E w h 3 T 0K，EF之上有少量电子，忽略。 爱因斯坦定律在T = 0K时正确，在T 0K近似成立。 b、半导体 电子亲和力: 导带底上的电子向真空逸出时所需的最小能量。 EA = Eo – Ec 半导体光电子发射的逸出功 本征发射 Ew = Eg + EA = Eth 光电子发射的能量阈值 杂质发射 n型 Ew =Δ Ed + EA p型 Ew = Eg + EA - Δ Ea E νo = w 红阈频率 h 4 ２、光电子发射的过程 光电发射是一种体效应，其过程分三个步骤： 第一步：体内电子吸收光子能量被激发跃迁到高能级； 第二步：被激发的电子向表面运动，运动过程中会与其它电子或晶 格碰撞，失去部分能量； 第三步：克服表面势垒的束缚逸出表面。 表面势垒的产生： 金属中存在大量自由电子。在通常条件下，可能会有一部分电 子克服原子核的库仑力作用逸出表面。但这些逸出电子对金属有感 应作用，使金属中的电荷重新分布，在表面出现与电子等量的正电 荷。逸出电子受到这种正电荷作用，动能减小，不能远离金属。在 金属表面形成偶电层，阻碍电子向外逸出，即表面势垒。 在半导体中，表面势垒是由于半导体缺陷和表面晶格不连续产 5 生的，与电子亲和力有关。 ３、光电阴极 应用中，光电发射体作为阴极，根据照射光的入射方向不同 可以分为反射式和透射式两种。 反射式：将光电发射体涂覆在不透明的金属上，当光从真空界 面入射到光电阴极上，光电子从同一表面向外发射。 透射式：将光电发射体涂覆在透明的基底上，当光从真空与基 底的界面入射时，光电子从另一表面发射。 光电阴极材料：金属，半导体，表面吸附一层其它元素的金属 判断好的光电发射体的三个主要因素： ? 光吸收系数大 ； ? 电子在体内运动过程中能量损失小； 量子效率高 ? 表面势垒作用小 。 金属与半导体相比较： （１） 金属对可见光和红外光是高反射，可达90％；对紫外光吸 收大，因此多用在紫外探测。 半导体材料反射损失小，尤其对光子能量大于禁带宽度的光 辐射吸收很大，因此在可见光区和红外区用半导体光电阴极。 7 （2）金属中自由电子多，光电子在运动中与其碰撞能量损失大， 因此，只有靠近表面的电子才对光电子发射有贡献。 半导体中光电子主要与晶格碰撞，能量损失小，远离界面的 电子也能够到达表面。 （3）金属的表面势垒作用大。金属的逸出功为真空能级与费米 能级之差，几乎都大于2eV，阈值波长小于0.6μm。 半导体因电子亲和力小，其逸出功多在2eV以下，适用于长 波长探测。 8 4、负电子亲和力 对于半导体材料来说，电子的亲和力对逸出功的影响非常 大，减小亲和力就可以减小电子逸出功，从而提高量子效率。对 于单一一种半导体材料，亲和力 EA 0，能量阈值较大。用两种 不同材料可以产生负电子亲和力。 在p型材料的表面涂一层极薄的n型材料，接触面类似于p-n 结。 9 能带结构 原来p型材料的能量阈值 E th = EA1 + Eg1 表面涂n型材料后能带向下弯曲，表面