04 半导体的导电性.ppt

4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 设电子在 t =0 时刻遭散射，散射后电子速度为 v 0 ，在此速度方 向上经时间 t 加速后再次被散射，则散射前速度： ? ? 0 * n q t Et m ? ? ? ? 两边求平均，假定每次散射后 v 0 完全无规则，多次散射后 v 0 在 x 方向分量的平均值为 0 ，因此： ? ? 0 * n qE v t v t m ? ? ( ) x n E ? ? ? * n n n q m ? ? ? * p p p q m ? ? ? ? 平均漂移速度 / 0 * * * 0 0 1 1 t d n n n n qE qE qE v t t N e dt m N m m ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 0 ? N 型半导体 ? P 型半导体 ? 本征半导体 n p p n i n p n ? ? 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 2 * n n n n nq nq m ? ? ? ? ? 2 * p p p p pq pq m ? ? ? ? ? ? ? 2 * * p n i i n p i n p n q n q m m ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 多能谷情况下的电导率： 对于等能面为球形的半导体，上面的讨论已经表 明，电流密度和电场的方向是一致的 , 电导率是标量。 但是，对于导带有几个对称的能谷的半导体 ( 如硅和 锗 ) ，在每一个能谷中电子的电导率是张量 , 在计入各 个能谷中电子总的贡献时，电导率才是标量 。 硅中导带的六个能谷和它们的主轴方向 z x y ? ? 001 ? ? 010 ? ? 100 m l m t m t m t m l m l 硅的导带有六个能谷（ 3 组） , 它 们在布里渊区内部六个 100 方 向上 . 等能面是以这些轴为旋转轴 的旋转椭球面 令 m l 表示沿旋转主轴 方向上的纵向有效质 量， m t 表示垂直于旋 转主轴方向的横向有 效质量，则有 m 1 = m l 和 m 2 = m 3 = m t . 总的电流密度和电导率 ( 以硅为例 ) x E 如果用 μ l 和 μ t 分别代表纵向迁移率和横向迁移率，则可得出 : 1 2 3 n l l n t t q m q m ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 各能谷中 , μ l 和 μ t 的数值都相等 , 但 它们对应于晶体中不同方向。 同一个对称轴上的两个能谷，它们的能量椭球主轴方向一 致 , 可作为一组来考虑。用 n 表示电子浓度 , 则每组能谷的电子浓 度是 n/3 ，总电流密度应是三组能谷电子电流密度之和，因此： ? ? 1 2 3 3 3 3 x l x t x t x l t x n n n J q E q E q E nq E ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 这个结果说明总的电流密度和电场的方向是一致的，因此，电 导率是标量。 则有 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? t l c m m m 2 1 3 1 1 m c 称为电子的 电导有效质量 令： c J nq E ? ? * * * 1 1 1 2 (2 ) ( ) 3 3 n c t l n l t c q q m m m ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 2 3 l t J nq E ? ? ? ? 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 n p nq pq ? ? ? ? ? ⅰ 掺杂浓度一定（饱和电离）时 , μ 大 → σ 大 , 即导电能力强 ; 大，则器件工作速度快 大 并且， d v ? ? * q m ? ? ? 其中 与散射机构有关（散射机率大时，迁移率小）。 例：一般情况下 μ n μ p ，因此 , npn 比 pnp 的晶体管更适合于高 频器件 . 对于 MOS 器件 , n 沟道器件比 p 沟道器件工作速度快 . ⅱ 迁移率 μ 的公式为： ? 几种散射同时存在时 , 有 : 1 1 1 1 * 1 1 1 1 s o i s o i m q ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 因此： 实际的自由时间与迁移率 μ 由各种散射机构中 最小