系统级封装（SiP）电路封装一体化基板通用要求2020-标准全文及编制说明.docVIP

GB/T XXXXX—XXXX PAGE 6 ICS FORMTEXT 点击此处添加ICS号 FORMTEXT 点击此处添加中国标准文献分类号 中华人民共和国国家标准 GB/T FORMTEXT XXXXX— FORMTEXT XXXX FORMTEXT FORMTEXT 系统级封装（SiP） 电路封装一体化基板通用要求 General requirements for integral substrate of System in Package（SiP） FORMDROPDOWN FORMTEXT FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX发布 FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX实施 GB/T XXXXX—XXXX PAGE I 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则编写。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC78/SC2）归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第二十九研究所、中科院微电子所、复旦大学、中国电子技术标准化研究院等。 本标准主要起草人：李彦睿、王春富、秦跃利、边方胜、徐洋等 PAGE 11 系统级封装（SiP）电路封装一体化基板 通用要求 范围 本标准规定了系统级封装（SiP）电路封装一体化基板的通用要求，以及MCM-C、MCM-D、MCM-C/D、MCM-L等典型电路封装一体化基板的材料、尺寸和结构等详细要求。并进一步规定了系统级封装（SiP）电路封装一体化基板的基板堆叠、封装堆叠要求。 本标准适用于自身作为系统级封装（SiP）外壳整体一部分或全部结构的基板的可制造性设计、加工工艺、封装堆叠工艺。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 9178-88 集成电路术语 GB/T 8976-1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 GB/T 12842-1991 膜集成电路和混合膜集成电路术语 GB/T 16261-2017 印制板总规范 GJB 2438a-2002 混合集成电路通用规范 GJB 597B-2012 半导体集成电路通用规范 GB/T XXXX-20XX 系统级封装(SiP) 术语（征求意见稿） 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 电路封装一体化基板 integral substrate 电路封装一体化基板应满足GJB2438A-2002中术语“一体化基板/外壳”的要求，或基片自身堆叠封装构成具备电气性能的外壳。 电路封装一体化基板应具备互连电路功能，实现IC裸芯片和其他微型无源器件电气连接、屏蔽，并作为一部分或全部封装结构提供保护、支撑、散热、焊接等功能。 共烧/沉积型混合多芯片组件 MCM- deposited thin film on cofired ceramic（MCM-C/D） 在MCM-C表面采用薄膜工艺制作高密度的薄膜多层布线层，从而形成薄膜与厚膜一体化布线的混合多层互连基板。 玻璃激光诱导加工 laser induced drill on glass 采用激光引发、活化玻璃形成变性结构，并采用刻蚀液去除从而形成所需结构的工艺。 基板堆叠 substrate stack 采用穿孔互连技术将多个基板在厚度方向上装配在一起形成一个完整功能单元。 封装等级 package level 封装等级是封装堆叠中各基板的不同功能层次，按照集成密度由低到高依次排列。 基板要求 基板通用要求 系统级封装（SiP）电路封装一体化基板一般应用于级联器件、功能模块、多芯片母板等一体化SiP，应作为封装的底层、互连、封盖等主体结构，同时具备电路和封装两种功能设计。 系统级封装（SiP）电路封装一体化基板设计、加工应满足产品应力、翘曲度、热膨胀系数、抗弯强度、互连、气密性等结构强度要求。 除封装的结构强度要求外，系统级封装（SiP）电路封装一体化基板应满足各类型基板自身的设计、工艺技术通用要求。 应根据成本、布线密度、线宽精度等指标选择适用的电路封装一体化基板类型，常用类型包括： MCM-C基板，如厚膜混合集成电路（HIC）、低温共烧陶瓷电路（LTCC）、高温烧陶瓷电路（HTCC）等； MCM-D基板，包