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演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 MOCVD 技术基础2 演示课件 MOCVD（Metalorganic Chemical Vapor Deposition） MOCVD是一个将特定的源材料通过一系列严格控制,传输到加热生长区，在此生长区，源材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。 演示课件 主要内容 1.基本原理 2.生长的材料体系 演示课件 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析 演示课件 使用的原材料 ARn + BHn → AB + nRH A、B是组成外延材料的元素， R是有机基团。 常用的A组分有Ga, In, Al, Mg, Zn,一般为： TMGa, TEGa, TMIn, TEIn, TMAl, TEAl, Cp2Mg (C2H5)2Mg, DMZn, DEZn. 常用的B组分通常采用其氢化物，例如AsH3, PH3, NH3, SiH4, SeH2等。 演示课件 一些常用源的分子结构示意图 DMZn TMGa AsH3 DMTe TBP TDMAAs 演示课件 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析 演示课件 组分控制 精确控制材料组份的关键--MO源的蒸汽压和输入量 MO源瓶中的压力是两种分压的总和，即PH2和PMO P= PMO+PH2 演示课件 演示课件 TMI