三维石墨烯的制备专业知识讲座.ppt

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本文档所提供的信息仅供参考之用不能作为科学依据请勿模仿文档如有不当之处请联系本人或网站删除目录一石墨烯概述二石墨烯的性质三石墨烯的制备四三维石墨烯的制备五三维石墨烯的应用本文档所提供的信息仅供参考之用不能作为科学依据请勿模仿文档如有不当之处请联系本人或网站删除一石墨烯概述石墨烯是由碳原子通过杂化所构成的单原子层二维纳米材料它具有蜂窝状的点阵结构与石墨的单原子层类似石墨烯看做构成碳材料的基本结构单元石墨烯的研究主要集中在电学性能力学性能热学量子力学生物兼容等方面石墨烯的产量和质量仍然有待于提升优化

本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 目录 一、石墨烯概述 二、石墨烯的性质 三、石墨烯的制备 四、三维石墨烯的制备 五、三维石墨烯的应用 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 一、石墨烯概述 1. 石墨烯是由碳原子通过 sp 2 杂化所构成的单原子层二维纳米材料,它 具有蜂窝状的点阵结构,与石墨的单原子层类似。 2. 石墨烯看做构成碳材料的基本结构单元。 3. 石墨烯的研究主要集中在电学性能、力学性能、热学、量子力学、生 物兼容等方面。 4. 石墨烯的产量和质量仍然有待于提升,优化制备过程,研究更加绿色 、简单和成本低廉的制备方法仍是目前石墨烯研究领域的重要挑战。 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 二、石墨烯的性质 2.1 电学性能 1. 石墨烯是一个良好的电荷载体,有望成为下一代的半导体材料。 2. 石墨烯属于零带隙的半导体,可以称为半金属,具有金属性。 3. 石墨烯在室温下在 SiO 2 中载荷子的迁移率可达 15000cm 2 /(V· s) 。 2.2 光学性能 1. 石墨烯具有很高的透光性。 2. 改变费米能级可以改变石墨烯的光学跃迁 。 3. 石墨烯具有光致发光特性 。 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 2.3 力学性能 1. 石墨烯具有高的弹性杨氏模量和抗断强度。 图 1. 纳米探测测量石墨烯机械强度示意图 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 2.4 热学性能 1. 石墨烯作为一种新型的电子设备材料,具有优越的热学性能。 图 2. 拉曼光谱法测量悬浮石墨烯热导率示意图 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 三、石墨烯的制备 3.1 机械剥离法 原理:机械剥离法是利用机械能破坏石墨片层间脆弱的键合二获得 单层的石墨烯。 1. 首先在 1mm 厚的石墨表面刻蚀出许多 5μm 厚的台阶。 2. 然后将使用透明胶带反复撕扯,使用丙酮将薄片转移到硅基底上, 即可得到单层或寡层石墨烯。 。 步骤: 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 3.2 化学还原法 1. Brodie 法 使用发烟硝酸和氯酸钾对石墨进行氧化 3.Hummers 法 2.Staudenmaier 法 使用了浓硝酸和浓硫酸的混合物与氯酸钾 原理:化学还原法使用强酸和强氧化剂将石墨氧化成氧化石墨烯, 再将氧化石墨烯还原得到石墨烯 使用了浓硫酸、硝酸钾和高锰酸钾对石墨进行氧化 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 3.2 化学还原法 图 3. Hummers 法制备石墨烯过程示意图 还原剂:水合肼、乙二胺、抗坏血酸、柠檬酸钠、 L- 光膀氨酸、氨水 蒸汽、氢碘酸 优点:成本低廉、效率高、适合工业化批量生产石墨烯 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 3.3 化学气相沉积法 1. 在 180 ℃下将樟脑蒸发热解,在 700~800 ℃下用氩气作为承载气 体使热解的樟脑进入放有镍板的 CVD 炉中。 步骤 : 2. 然后使其自然冷却到室温,就可以在镍基底上得到石墨烯。 缺点:产量小,能耗高,所制备的石墨烯不易分散于水中,难以满 足工业化生产高质量石墨烯的要求 优点:制备的石墨烯连续、无缺陷、尺寸大、性能优异、甚至可以 控制所制备的石墨烯的形状,在电子器件领域有广阔的应用前景 本文档所提供的信息仅供参考之用,不能作为科学依据,请勿模仿。文档如有不 当之处,请联系本人或网站删除。 3.4 外延生长法 原理:单晶碳化硅的 (0001) 面上分解出石墨烯的 1. 具体过程是对碳化硅进行氧化或用氢气刻蚀; 2. 然后将其置于超高真空中,用电子束轰击加热到 1000 ℃,同时去除氧 化物。用俄歇电子能谱检测碳化硅表面,确定氧化物被完全祛除; 4. 最后是样品加热到 1250~1450 ℃保温 1~20

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