《电力电子应用技术》第三版-莫正康-第4章PPT.pptVIP

3．复合缓冲电路 　　实际应用中，总是将关断缓冲电路与开通缓冲电路结合在一起，称为复合缓冲电路。 三、缓冲电路的应用 　　IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率高达20～50kHz，因此很小的电路电感就可能引起很大的Ldi／dt，从而产生过电压危及IGBT的安全。 　　GTO的缓冲电路除用来抑制换相过电压、限制du／dt、动态均压之外，还关系到GTO的可靠开通和关断。 　　该电路的特点是：①三只电容之间连线短，所以寄生电感小；②三只电容都参与工作，利用率高；③电路损耗较小，约为RCD电路损耗的40％。 　　值得注意的是：若缓冲电路中的二极管选择不当，在二极管反向恢复期会产生很高的尖峰电压，故必须选择快恢复二极管。 第六节　其它新型电力电子器件 一、静电感应晶体管SIT 　　静电感应晶体管简称SIT，是一种靠场效应引起元件中导电沟道形成或消失来实现开关功能的器件。 　　电源Ucc1经电阻R3、二极管VD3和电容C加速网络向V2提供基极电流，使V2导通并由此将功率MOSFET的栅极接地，迫使MOS－FET关断。 　　（3）集成式驱动电路 目前，用于驱动功率MOSFET的专用集成电路较常用的是美国国际整流公司的IR2110、IR2115、IR2130芯片。 　　IR2110是14引脚双列直插式大规模集成芯片。 　　IR2110的保护功