电子元器件失效分析具体案列.docVIP

中国赛宝实验室可靠性研究分析中心 案例一： 1 产 品 名 称：单片机 MD87C51/B 2 商标：Intel 3 分 析 依 据：MIL-STD-883E 微电子器件试验方法和程序 微电路的失效分析程序 MIL-STD-883E 方法 2010 内部目检（单片电路） 4 样品数量及编号：失效样品 1＃～6＃，良品 7＃～12＃ 5 样品概述及失效背景：MD87C51/B 是一高速 CMOS 单片机。委托方一共提供四种批次的此 类样品。1＃、5＃、10＃、11＃、12＃属 9724 批次，其中 1＃样品已做过二次筛选和环境 应力试验，是在整机测试过程中失效，5＃样品在第一次通电工作不正常，须断电后重新通 电可以正常工作，10＃～12＃样品是良品；2＃、3＃、4＃样品属 9731 批次，这三个样品 在第一次上机时便无法写入程序，多次长时间擦除，内容显示为空，但仍不能写入；6＃样 品属 9931 批次，失效情况同 5＃样品；7＃～9＃样品属 9713 批次，为良品。 6 分析仪器 序 号 仪器、设备名称 型 号 编 号 1 立体显微镜 LEICA ZM6 011701145 2 金相显微镜 OPTIPHOT200 011701120 3 图示仪 TYPE576 B349533 仪 4 数字式示波器 TDS3012 B018857 5 内部气氛分析仪 IVA110S 011701141 器 设 6 静电放电测试系统 ZAPMASTER7/2 470501389 备 7 等离子刻蚀仪 ES 371 011701174 8 程控直流电源 Agilent 6633B 660105754 9 波形发生器 AFG320 610106387 10 电子扫描电镜（SEM） XL－30FEG 011701122 11 串行编程器 Superpro/580 730103920 7 分析过程 1）样品外观分析：1＃～6＃进行外目检均未发生异常； 2）编程器读写试验：能对坏品进行内部程序存储器读取，但无法完成写操作，良品读写操 作均正常； 3）内部水汽含量测试：应委托方要求，8＃与 12＃样品进行内部水汽含量测试，结果符合 要求； 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心 4）端口 I－V 特性测试：使用静电放电测试系统剩下的样品进行 I－V 端口扫描测试，发现： 4＃样品的 Pin3、Pin4、Pin5、Pin7 对地呈现明显的电阻特性，使用图示仪测试后测得 Pin3 对地呈现约 660Ω阻值、Pin4 与 Pin5 对地呈现约 300Ω阻值、Pin7 对地呈现约 140 Ω阻值，且在 1＃与 4＃样品的 Pin31（ ___ EA /Vpp）发现特性曲线异常，但并非每次都能 出现；其他样品的管脚未发现明显异常； 5）开封和内部分析：对 1＃～5＃样品进行开封，内目检时发现： 芯片的铝键合丝与键合台以外相邻的金属化层（有钝化层覆盖）存在跨接现象。在拉 断铝丝后，可见到铝丝通过超声键合已粘接在相邻的地连线或膜电阻上，并粘附着铝丝被 粘连的铝屑见图 2～图 4。拉断铝丝后均能观察到键合台邻近的工作金属线或膜电阻上存在 铝丝残存的碎屑，说明铝丝存在键合跨接。 统计发现，在3＃与4＃样品中，每只样品的40 个键合台均有27 个存在铝丝键合 与其相连的工作金属化铝连线（地线或膜电阻）跨接粘连的问题。 对 1＃～4＃样品用稀盐酸进行腐蚀后再观察发现，2＃样品的 Pin31（ ___ EA /Vpp）的键 合台存在明显裂痕（见图5），在键合台以外的区域以及靠近该键合台的金属化层被跨接粘 连处，金属化铝连线上的钝化层已存在破裂，被跨接的膜电阻不但其表面的钝化层破裂， 而且膜电阻也已凹陷和破裂。图6 是被粘连处的金属化地线和膜电阻凹陷和破裂的SEM 照 片。 8 综合分析：根据以上分析的结果，铝丝键合点已经与不应该与之相连的覆盖有钝化层的 工作金属层或膜电阻跨接粘连，在翻开或拉断铝丝后，可见到铝丝通过超声已粘接在相邻 的工作金属化地连线或膜电阻上。有些粘连处，地连线和膜电阻上的钝化层已经破裂，这 些破裂造成端口对地漏电或短路，电阻条上的破裂和凹陷造成电阻（膜电阻）的电阻值减 小或开路（见图6）。 根据美军标 MIL-STD-883E 方法 2010 3.1.4 玻璃钝化层缺陷 呈现下列情况的器件， 不得接收：（略去其它）g.在膜电阻器上出现裂纹； 根据美军标 MIL-STD-883E 方法 20103.2.1.3 一般情况（金丝球焊、楔形和无尾键合） 从上面观察时呈现下列情况的器件，不得接受： （略去其他）c.条件 A（S 级）和条件 B（B 级）：除公共导线外，键合尾部延伸到有玻 璃钝化层的金属化层上，而该玻璃钝化层呈现出明显的扩展到尾部下面的裂纹或断裂。 尽管这些键合跨