半导体二极管和基本电路专题培训课件.pptVIP

半导体二 极管和基 本电路 第一章 半导体二极管及基本电路 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN 结的形成及特性 1.3 二极管及伏安特性 1.5 二极管基本电路及分析方法 1.6 特殊二极管 1.4 二极管的等效模型 1.1 半导体的基本知识 一、本征半导体 1 、半导体 导电物质可分为： 导体：金属 绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等 半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等 半导体的导电特性： 1 、 半导体导电能力受环境影响很大 （ 1 ）受温度： 当温度改变时，其导电能力改变 热敏元件 （ 2 ）受光照： 当光照强度改变时，其导电能力改变 光敏元件 2 、 半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强 2 、本征半导体（纯半导体） Si ： 14 个电子 2 ） 8 ） 4 Ge ： 32 个电子 2 ） 8 ） 18 ） 4 4 价元素 价电子数可决定物 质化学性质 （ 1 ） （ 2 ） 晶体结构 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si Si Si Si Si 自由电子 空穴 本征激发产生成对的自由电子和空穴 （ 3 ） 本征半导体的导电机理 温度愈高或光照越强，晶体中产生的成 对的自由电子和空穴便愈多。 自由电子和空穴形成两种载流子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原 子的价电子来填补，而在该原子中出现 一个空穴，其结果相当于空穴的运动 （相当于正电荷的移动）。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少 , 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多 , 半导体的导电性能也就愈好。 所以，温 度对半导体器件性能影响很大。 二、 N 型半导体和 P 型半导体（杂质半导体） 多余 电子 磷原子 在本征半导体中掺入微量的 5 价元素 ，形成 N 型半导体。 Si Si Si Si p+ 在常温下即可 变为自由电子 1 、 N 型半导体 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 动画 2 、 P 型半导体 Si Si Si Si B – 硼原子 空穴 注意：无论 N 型或 P 型半导体都是中性的（其正负电荷数 相等），对外不显电性、不带电。 在本征半导体中掺入 微量 的 3 价元素 ，形成 P 型半导体 。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 动画 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多， 多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （ a. 掺杂浓度、 b. 温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （ a. 掺杂浓度、 b. 温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （ a. 减少、 b. 不变、 c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下， P 型半导体中的电流 主要是 ， N 型半导体中的电流主要是 。 （ a. 电子电流、 b. 空穴电流） b a 1.2 PN 结及单向导电性 一、 PN 结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 扩散的结果使空 间电荷区变宽 。 空间电荷区也称 PN 结 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 1 、扩散运动 由于浓度不同，多子 运动，形成内电场，阻 碍了多子继续扩散。 2 、漂移运动 少子在内电场的作用 下形成漂移运动。 动画 又称为 耗尽层 二、 PN 结的单向导电性 1 、 PN 结加正向电压 （正向偏