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本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 ? 反应器 第三个电极： ICP （ I nductively C oupled P lasma ） 电极 优点：结构简单，成本低 三极平行板 RIE 反应器 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 ICP-RIE 刻蚀机 ICP 部分 传片腔 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 ? 高密度等离子体反应离子刻蚀的特点： 1 ） 高刻蚀速率 等离子体中反应基密度大增加了刻蚀速率 2 ） 高方向性 系统中引入磁场使反应离子具有高方向性，可获 得高深宽比的槽； 3 ） 小轰击损伤 系统的自偏压低，反应离子的能量低，因而减小 对 Si 片表面的轰击损伤。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 5. 终点检测 ? 终点检测的常用方法：光发射谱法 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请