第5章 硅外延生长知识课件.pptVIP

2．外延生长的掺杂 外延用PCl3、AsCl3、SbCl3和AsH3做N型掺杂剂，用BCl3、BBr3、B2H6做P型掺杂剂。 以SiCl4为源，用卤化物掺杂剂时，使用两个SiCl4挥发器。一个装含掺杂剂量为SiCl4量的1/104-1/105的SiCl4，另一个装纯SiCl4。掺杂生长时，调节通过两个挥发器的氢气流量和挥发器的温度，就可以灵活地控制外延片的电阻率。 2．外延生长的掺杂 对于AsH3、B2H6这类氢化物掺杂剂，常用纯H2将它们稀释后装入钢瓶中，控制它和通过SiCl4挥发器的H2流量来调整外延层的电阻率。这是目前应用比较广泛的掺杂方法。 以SiH4为源，其掺杂剂使用的是AsH3, B2H6。 生长高阻P型硅外延层时，常用低阻P型衬底的自掺杂效应来实现掺杂。 5—5硅的异质外延 随着大规模、超大规模集成电路的进展，外延技术的应用越来越广泛，除了在硅衬底上进行硅的同质外延之外，还发展了在蓝宝石、尖晶石衬底上进行硅的“SOS”外延生长和在绝缘衬底上进行硅的“SOI”异质外延。 5-5-1 SOS技术 SOS是“Silicon on Sapphire”和“Silicon On Spinel”的缩写，也就是在蓝宝石或尖晶石衬底上外延生长硅。 蓝宝石(α-Al203)和尖晶石(MgO·Al203)是良好的绝缘体，