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第二章 PN 结 填空题 1、若某突变PN 结的 P 型区的掺杂浓度为N =1.5×1016cm-3 ，则室温下该区的平衡多 A 浓度p p0 与平衡少子浓度 np0分别为（ ）和（ ）。 2 、在 PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。内建 电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出， 掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4 、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ）， 内建电势 V 就越（ ），反向饱和电流I 就越（ ），势垒电容 C 就越（ ），雪崩击穿电 bi 0 T 压就越（ ）。 5、硅突变结内建电势 V 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏 bi 特。 6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会 （ ）。 7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会 （ ）。 8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 np 与外加电压 V 之间的关系可表示为 （ ）。若P 型区的掺杂浓度N =1.5×1017cm-3 ，外加电压 V= 0.52V ，则P 型区与 A 耗尽区边界上的少子浓度 np 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少 浓度（ ）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡 少子浓度（ ）。 10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ） 电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）；PN 结的反向电流 很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。 12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边 （ ）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电压下可简 化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（ ）电流为主；当电压较高时，以 （ ）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（ ）。在 薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（ ）。 16、小注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远小于该区的 （ ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（ ）多子浓度可以忽略。 17、大注入条件是指注入某区边