晶体材料基础第九讲 晶体生长方法.ppt

第八讲 晶体生长技术（1）;(1) 溶液生长 (2) 熔体生长 (3) 气相生长 (4) 固相生长;溶液法：方法简单，生长速度慢，晶体应力小，均匀性好 降温法 恒温蒸发法 循环流动法 温差水热法 助熔剂法;基本原理是将晶体原料（溶质）溶解在溶剂中，采取适当的措施使溶液达到过饱和状态，使晶体在其中生长。;要获得光学质量好、尺寸大的单晶，就必须严格控制晶体的生长速度，使构成晶体的离子严格按照其点阵结构各就各位地进行排列，形成结构完整的晶体， 就必须掌握溶质在水中的溶解度及溶解度随温度的变化，并在溶液中放上一个或几个籽晶，使溶质在籽晶上析出，慢慢地沿着一定的结构方向生长。 使用这种方法，生长温度很低，生长设备简单，而且容易长成大块的、均匀性良好又有完整外形的晶体，但是生长速度很慢，生长周期长。;一、溶液和溶解度 1、溶液和溶液浓度 溶液： 由两种或两种以上物质所组成的均匀混合体系称为溶液。 由溶质和溶剂组成。 通常将溶液中含量较多的组分称为溶剂，较少的为溶质。 溶液浓度： 一定量的溶液中含有溶质的量称为溶液的浓度。;溶液浓度的表示方法： （1）体积摩尔浓度（M)：M = 溶质（mol数) / 1L溶液。 （2）重量摩尔浓度（m)：m = 溶质（mol数) / 1000g 溶剂。 （3）摩尔分数（x)：x = 溶质（mol数)