物理半导体器件物理.pptxVIP

本章内容MOS二极管 MOSFET基本原理 MOSFET按比例缩小 CMOS与双极型CMOS绝缘层上MOSFETMOS存储器结构 功率MOSFETMOS二极管MOS二极管在半导体器件物理中的重要地位 便于研究半导体表面特性． 是先进IC中最重要的MOSFET器件的枢纽． 可作为储存电容器，并且是电荷耦合器件(CCD)的基本组成部分．理想MOS二极管当金属板相对于欧姆接触为正偏压时，V0；当金属板相对于欧姆接触为负偏压时，V0． MOS二极管V=0时，理想p型MOS二极管的能带图．功函数(金属:q?m;半导体:q?s)为费米能级与真空能级之间的能量差；qχ为电子亲和力，即半导体中导带边缘与真空能级的差值；qΨB为费米能级EF与本征费米能级Ei的能级差． 理想MOS二极管定义： (1)在V=0时，金属与半导体功函数差为零(EF半导体=EF金属 ，q?ms= 0 ) ，能带是平的 (称为平带状况)． (2)在V≠0时，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等，但极性相反；(3)在直流偏压下，无载流子通过氧化层，亦即R氧化层 = ∞。MOS二极管 当一理想MOS二极管偏压V 0或V 0时，半导体表面可能会出现三种状况．以p型半导体为例：(1) 当V 0时，SiO2-Si界面处将产生超量的空穴，使半导体表面的能带向上弯曲。理想MOS二极管内部无电流流动，所以半导体内部的EF = 常数，而 Ei 随能带也向上弯曲，使（Ei-EF）变大。在SiO2-Si界面处产生空穴堆积，称为积累现象。此时，|Qm| = QsMOS二极管 (2) 当V 0 且较小时，半导体表面的能带将向下弯曲，使表面EF = Ei，形成多数载流子(空穴)耗尽，称为耗尽现象。此时， np = pp = ni ， Qsc= qNAW，其中W为表面耗尽区的宽度． (3) 当V 0 且较大时，能带向下弯曲更严重．使表面Ei EF。在SiO2-Si的界面处形成负载流子(电子)的堆积． 由于（EF-Ei）＞0，在表面处 np ni 而 pp ni，即少子 空穴，使表面载流子呈现反型，称为反型现象． MOS二极管反型现象分为：弱反型 和 强反型 当 ni np NA 时，处于弱反型, W随V的增加而增大；当np = NA时，开始产生强反型;当np NA时，处于强反型。发生强反型后：(1) 反型层的宽度 xi ≈ 1nm ~ 10nm，且xiW；(2) 随V的增加，能带稍微增加弯曲程度，np急剧增大，而W不再增大，达到最大值；Qs = Qn + Qsc = Qn - qNAWm 半导体表面半导体表面半导体表面EEECCCEEEgggEEEyyyqqqiiiyyyqqqyyyqqqBBBSSSEEEFFFyyy(((000)))SSSEEEVVV半导体半导体半导体氧化层氧化层氧化层xxxiiiMOS二极管一、表面耗尽区：下图为p型半导体表面更为详细的能带图．在半导体衬底内的静电势Ψ定义为零．当能带向下弯曲时，Ψ 0．在半导体表面Ψ= Ψs 0 ，Ψs称为表面电势．表面载流子密度为： 半导体表面半导体表面半导体表面EEECCCEEEgggEEEyyyqqqiiiyyyqqqyyyqqqBBBSSSEEEFFFyyy(((000)))SSSEEEVVV半导体半导体半导体氧化层氧化层氧化层xxxiiiMOS二极管对表面电势可以区分为以下几种情况： Ψs0： 空穴积累(能带向上弯曲)； Ψs =0： 平带情况； ΨBΨs0：空穴耗尽(能带向下弯曲)； Ψs=ΨB： 禁带中心，即ns＝ps＝ni(本征浓度)； ΨsΨB： 反型(能带向下弯曲超过费米能级)．电势为距离的函数，可由一维的泊松方程式求得为 其中ρs(x)为位于x处的单位体积电荷密度，而εs为介电常数 半导体表面半导体表面半导体表面EEECCCEEEgggEEEyyyqqqiiiyyyqqqyyyqqqBBBSSSEEEFFFyyy(((000)))SSSEEEVVV半导体半导体半导体氧化层氧化层氧化层xxxiiiMOS二极管耗尽近似法进行分析：当半导体耗尽区宽度达到W时，半导体内的电荷为ρs= -qNAW，积分泊松方程式可得距离x的函数的表面耗尽区的静电势分布： 表面电势Ψs为 此电势分布与单边的n+-p结相同。 当Ψs=ΨB时， ns＝ps＝ni ，可看作表面开始发生反型当ΨsΨB时， ns ps ，表面处于反型当ΨsΨB 多大程度时，表面处于强反型状态，还需要一个准则半导体表面半导体表面半导体表面EEECCCEEEgggEEEyyyqqqiiiyyyqqqyyyqqqBBBSSSEEEFFFyyy(((000)))SSSE