GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响_图文.docVIP

第２３卷第６期 ２００６年１１月量子电子学报ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＶｂｌ．２３ＮＯ．６ＱＵＡＮＴＵＭＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＮＯＶ．２００６文章编号：１００－５４６１（２００６）０６—０８７２—０４ ＧａＮ基ＬＥＤ电流扩展对其器件特性的影响 孙重清，邹德恕，顾晓玲，张剑铭，董立闽 宋颖娉，郭霞，高国，沈光地 （北京工业大学光电子试验室， 摘北京１０００２２）要：ＧａＮ基ＬＥＤ的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状Ｎ电极的器件在正向 电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状Ｎ电极和普 通电极进行了比较，在外加正向电流为２０ｍＡ时，正向电压减小了６％，总辐射功率也略有提高，工作５０小 时后，总辐射功率相差８％，验证了环状Ｎ电极结构有利于器件电流扩展，减少器件串联电阻，减少了焦耳热 的产生，提高了ＬＥＤ电光特性和可靠性。 关键词：光电子学；固态照明；环状Ｎ电极；总辐射功率；电流扩展 中图分类号：ＴＮ３８３文献标识码：Ａ １引言 随着ＧａＮ基ＬＥＤ的迅速发展，ＬＥＤ已经成为下一代主要照明工具的主要候选者，虽然要实现半导体照明工程还有一段很长的路要走。随着ＧａＮ材料生长技术的快速进步，近些年，ＬＥＤ器件在总辐射功率和发光效率方面已经取得了很大的进步，极大的推动了ＬＥＤ的产业化进程［１｜，使固态照明得以真正的实现。现今，在ＧａＮ基ＬＥＤ的发展过程中主要存在三个方面的问题［２］＝１）器件内量子效率的提高；光提取效率的提高；２）３）器件的电流扩展和散热。在器件的内量子效率和光提取效率和散热方面，国内外已经发表了很多这类文章［３￣６】，提出了很多提高效率的方法，诸如有源区结构优化、倒装焊技术的应用、表面粗化和倒金字塔结构的提出等等。应用有效的封装结构和封装技术［７］使ＬＥＤ的散热特性得到进一步提高。器件表面电极的结构Ｉｓ］以及欧姆接触的制作对于改善器件电流扩展是非常重要的，通过优化电极结构可以优化电流扩展分布，减少器件串联电阻，进而减少焦耳热的产生，以达到改善器件特性的目的。 本文将从两种不同的ＬＥＤ表面电极结构，来分析和比较这两种电极结构的器件，并且把器件倒装在Ｓｉ支架上，进行标准封装，对器件的电流电压曲线，电流总辐射功率曲线等进行测试和比较。 ２器件的制作 本文使用的ＬＥＤ芯片是采用ＭＯＣＶＤ技术在蓝宝石衬底上生长的。一层Ｎ型的Ｎ—ＧａＮ作为缓冲层，然后在其上生长４０００ｎｍ的Ｎ型Ｎ—ＧａＮ，掺杂浓度为５×１０１８，而后生长１ｎｍ的Ｉｎｏ．１Ｇａｏ．９Ｎ和２ＦｉＥ的Ｎ—ＧａＮ，中间含有１０周期的超晶格，而后生长５对１０ｎｍ的Ｎ—ＧａＮ和３ｎｍ的Ｉｎｏ．２Ｇａｏ．８Ｎ作量子阱，最后生长１５０ＦｉＥ的Ｐ型ＧａＮ，掺杂浓度为５×１０１９，随后采用两套不同电极结构的版图制作Ｐ电极和Ｎ电 基金项目：国家９７３计划０２）、北京市教委项目（２００２ｋｊ０１８）和北京市科委重点项目（Ｄ０４０４００３０４０２２１） 收稿日期：２００５—０９—０８；修改日期：２００５—１０—２２ Ｅ－ｍａｉｈｓｕｎｃｈｏｎｇｑｉｎｇ＠ｅｍａｉｌｓ．ｂｊｕｔ．ｅｄｕ．ａｎ 第６期孙重清等：ＧａＮ基ＬＥＤ电流扩展对其器件特性的影响８７３极。一种结构我们称作为Ａ，一种我们称作为Ｂ，如图１所示：Ａ所示版图制作的ＬＥＤ接通外接电流后，外接电流从Ｐ电极流入器件，电流全部通过Ａ中所示的圆弧１区流向Ｎ电极，从而这部分区域在器件工作的过程中集聚了大量电流，导致这部分区域电流密度很大，这部分电流产生很大焦耳热，而在其他区域由于电流分散的流向这个圆弧，使得其他区域的电流密度较圆弧区小很多，这部分产生的焦耳热较圆弧区也小很多。在器件工作过程中，圆弧区温度过高，使得这部分区域的有源区非辐射复合增加，内量子效率下降，并且过高的工作温度很容易损坏器件。而在其他区域流过有源区的电流密度将相对的要小，离圆弧区域越远电流密度越小，这些区域有源区的辐射复合的能力减弱，而导致总辐射功率和发光效率的降低。如图１中Ｂ所示版图，在Ａ结构的基础上将Ｎ电极制作成环形的，这种情况下器件接通外接电流后，外接电流从Ｐ电极流过图中２，３，４，５，６区域流向Ｎ电极，这样电流分散着流向Ｎ电极，器件的电流分布更加均匀，避免了Ａ中因电流集中在局部而产生很多焦耳热，温度过高而损坏器件。 ＡＢ Ｆｉｇ．１ＴｗｏｋｉｎｄｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓＡａｎｄＢＦｉｇ?２ＰｈｏｔｏｏｆｓｔａｎｄａｒｄｐａｃｋａｇｅＬＥＤ ３实验和分析 为了验证我们的分析，我们把两种版图分别制作的ＬＥＤ管芯倒装焊在与之相配的Ｓｉ支架上，并且进行标准的封装，封装完成的器件如图２所示。 我们对封装完成的器件进行了测试，得到了器件的电流电压曲线，电流总辐射功率曲线和总辐射 功率随时间的变