GaN基大功率LED芯片设计_图文.docVIP

华中科技大学 硕士学位论文 GaN基大功率LED芯片设计 姓名:魏巍 申请学位级别:硕士 专业:光电信息工程 指导教师:刘胜华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 摘要 由于LED具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基LED为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全球能源紧张和“节能减排”的大环境下,国家非常重视。但这也给LED芯片提出了更高的标准和要求, GaN基LED虽经过了近20年的研究和发展,但仍存在一些问题,主要是电光转换效率还需要进一步提高,芯片成本需不断降低等问题,如何系统地设计一个性能良好的大功率LED芯片是一个很有价值的研究课题。 本文全面地研究了GaN基大功率LED的芯片设计,主要分为两个部分,一是芯片结构的设计以提高取光效率,二是芯片电极的设计以获得良好的电流注入和电流密度分布,并最后在实验中得到了一些证实。 本论文所做的工作主要有: (1基于光线追迹的方法,全面地分析了正装芯片、倒装芯片和垂直芯片三种典型LED芯片的取光效率及其潜力,并系统地分析了四种提高LED芯片取光效率的有效途径。设计了两种有特定沟槽的LED芯片结构,并在模拟分析中证实了其可以有效地提高LED芯片的取光效率,提升比例最高可达到100%以上。 (2利用软件SimuLED,较全面地分析了LED芯片电流扩展的基本情况,特别是电极图案与芯片电流密度分布的关系,以及不同的电流密度分布对芯片电光性能的影响,得出了一些大功率LED芯片电极设计的基本原则。基于上述的基本原则,为本文设计的有特定沟槽的LED芯片制定了相应的电极方案。 (3通过一整套芯片制作工艺,先后研制了两套芯片,并测试了芯片的结构特征和电光性能,并与模拟结果对比分析了其中的问题,讨论了下一步需要继续改进的地方。 关键词:GaN基LED 取光效率电极电流密度电流扩展 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 Abstract Light-emitting diode (LED is a kind of semiconductor device which has the merits of high luminous efficiency, long life expectancy, non-pollution, energy saving, etc. GaN-based LEDs have been developed quickly in the past few years with the rise of solid state lighting. Various kinds of LED applications are springing up and attract recognition of the government in the background of global energy saving and energy crisis. Although GaN-based LEDs have been researched and developed for twenty years, but they still have many problems to be solved, such as luminous efficiency and cost. Besides, it is still worthy of research that how to design a reliable high power LED chip. In this thesis, two issues about the design of high power GaN-based LED chips are concerned. One is the design of chip structure to enhance light-extraction efficiency, and the other is the design of electrodes to achieve effective current injection and uniform current density distribution. In the end, the designed LED chips are fabricated, tested and analyzed. The major work of this thesis is summarized as follows: (1Based on the method of ray-tracing, the light-extraction efficienc