垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差分析.docVIP

第27卷　第8期2006年8月 半　导　体　学　报 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Vol.27　No.8 Aug.,2006 垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差分析 刘　超??　张雅丽　徐桂芝　张　韬　侯广辉　祝宁华 (中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京　100083) 3 摘要:采用FRESNEL光学软件和MATLAB编程,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差对 耦合效率的影响.发现在芯片横向偏移、芯片倾斜和管帽倾斜这三种操作误差中,管帽倾斜对封装组件的耦合效率影响最大. 关键词:耦合效率;垂直腔面发射激光器;封装EEACC:4320J;4330 中图分类号:TN305194　　　文献标识码:A　　　文章编号:025324177(2006)0821480204 (b)中,管脚1和管脚2通常分别作为信号管脚和接 1　引言 在光电器件的开发生产中,封装往往占其成本的60%～90%,其中80%的制造成本又来自组装和封装工艺,因此封装在降低成本上扮演举足轻重的角色,逐渐成为研究的热门话题.垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光纤通信系统的重要光源,发展与其相适应的封装技术是十分必要的.迄今为止,VC2 [1] SEL的封装形式有塑料封装、陶瓷衬底封装和倒 [2～5] 装焊,PillPack(子弹头)和SMT表面装贴等形式,但目前VCSEL的主要生产设施是围绕TO封装而建的.文献[6,7]提出了具有监测光功率功能的VCSEL概念封装:将VCSEL芯片和探测器芯片分别用导电胶和非导电胶粘接在管座上,通过在倾斜的玻璃管帽上镀氮化硅薄膜反射条,将一定比例的激光器输出光反射到光电探测器输入窗口.由于氮化硅薄膜的反射率与激光光束的偏振状态、波长和管帽倾斜角度有关,所以这种封装结构还需要进一步改进. 在实际应用中,由于VCSEL输出光功率随温度和时间的变化几乎保持不变,使得VCSEL在没有光功率监测功能的情况下也能正常开环使用[1].VCSEL的出光方向与芯片的表面垂直,因此可以采用比边发射激光器简单的,类似于探测器的TO封装结构.由于从VCSEL芯片发出的光是圆形对称的,在封装设计中无需考虑转变光场形状,因此其TO封装的耦合透镜采用制作工艺相对简单、成本相对低廉的球透镜即可.VCSELTO封装的管帽和管座的侧向剖面图分别如图1(a),(b)所示.在图1 3国家自然科学基金国际合作重大项目资助项目(批准号??通信作者.Email:chliu@　2006201216收到 地管脚.管脚1与管座相连接的部分是一段同轴线 3,在这段同轴线中采用玻璃材料作为绝缘介质 . 图1　TO封装管帽(a)和管座(b)的侧向剖面图 Fig.1　CrosssectionofTO2cap(a)andTO2head(b) 我们设计的TO封装为插拔式结构,如图2所示.我们曾以这种结构为例,通过FRESNEL光学软件结合MATLAB编程的方法模拟分析了VC2SELTO封装的耦合效率与封装元件结构参数的关系[8].本文继续采用这种方法分析VCSELTO封装的操作误差对耦合效率的影响,这将对VCSELTO封装设计和生产具有一定指导意义 . 图2　VCSEL的插拔式TO封装 Fig.2　PluggableTO2packagedVCSEL c2006中国电子学会○ 第8期刘　超等:　垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差分析 1481 2　操作误差对VCSELTO封装耦合 2.1　VCSEL横向偏移对耦合效率的影响 效率影响的模拟分析与讨论 　　在不考虑操作误差的情况下,影响VCSELTO 封装耦合效率的主要因素是经过透镜折射后的激光高斯光束模场与单模光纤的模场尺寸不匹配产生的损耗和透镜的像差损耗[8].在实际生产过程中,实现VCSELTO封装工艺包括多种操作工艺流程,比如:采用金基钎焊技术将管芯、过渡热沉和管座连接起来;采用金丝球焊和楔焊技术将管芯和引脚进行电连接;采用电阻焊和电流焊完成气密性封装等.在这些封装工艺的操作过程中,总会不可避免地引入误差,使得封装后的光学组件并非是理想同轴,因此分析封装后器件的耦合效率还应考虑操作误差带来的影响.本文分别针对芯片不居中、芯片倾斜和管帽倾斜这三种情况,分析操作误差对VCSELTO封装耦合效率的影响. 用于模拟分析的实验样品包括:由德国慕尼黑技术大学肖特基研究所制备的VCSEL芯片样品,其远场发散角为20°,输出光功率为1mW;模场直径 μm的单模光纤;两种带有球形耦合透镜的管为10 帽,其结构参数如表1所示.与商用的TO封装管帽产品相比,1#管帽采用长焦距、折射率低的耦合透镜;2#管帽采用短焦距、折射率高的耦合透镜.以这两种管帽样品