垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性.docVIP

　第20卷第11期半　导　体　学　报 V o l . 20, N o . 11　1999年11月 CH I N ESE JOU RNAL O F SE M I CONDU CTOR S N ov . , 1999 　3国家自然科学基金资助项目(批准赵一广　男, 副教授, 从事垂直腔面发射半导体激光器方面的研究 1998208217收到, 1998212228定稿 垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性3 赵一广　张宇生　黄显玲 (北京大学物理系　北京　100871 (超晶格和微结构国家重点实验室　北京　100083 摘要　本文采用求光场方程、载流子扩散方程、热导方程以及泊松方程自洽解的方法, 研究了垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性. 计算结果表明, 出射窗口半径和限制区的深度、厚度以及半径是影响其注入电流和电压分布的主要因素. 在不同的深度, 电流和电压的分布是不同的. 因而电流的分布不是一个固定的模式. 对于较大出射窗口的垂直腔面发射半导体激光器, 有源区的电流密度分布不均匀是引起高阶横模的主要原因. 限制区的位置对有源区中电流的扩展有很大的影响. PACC :4255P , 4260, 4280L 1　引言 自从1977年Iga 提出制作垂直腔面发射半导体激光器(英文缩写V CSEL s 的设想以 来[1], 对这种激光器的研究已经取得了很大的进展. 超低阈值的V CSEL s 已经研制成功[2]. 然而, 到目前为止仍然存在的一个主要问题是在大电流注入下V CSEL s 出现高阶横模[3, 4]. 即使在脉冲工作状态也不例外[3, 5]. 多横模工作展宽了光谱, 这就限制了器件的应用范围. 成为目前V CSEL s 研究领域亟待解决的问题. 目前研究最多的V CSEL s 结构是圆形或方形的增益波导, 光发射通过顶面. 对于一个增益波导V CSEL s , 注入电流在有源区形成一个增益区. 我们以前的计算结果表明, 注入电流的空间分布极大地影响有源区的载流子和温度分布, 并影响V CSEL s 的横模特性[4]. 在高注入电流时, 有源区的载流子分布出现空间烧孔, 从而, 影响增益和折射率的分布. 此外, 温度的升高也与注入载流子的分布有关[6]. 温度的变化也影响增益和折射率的分布. 由此可见, 注入电流的分布是影响V CSEL s 横模特性的主要因素. 对V CSEL s 横模特性的理论研究已有一些报道. 然而, 这些研究都是用固定的注入电流分布模型[4, 7, 8]. 由于注入电流分布是由激光器结构、工作条件和材料参数等共同决定的. 因而, 固定的注入电流模式将与实际的情况有较大的偏离. 比较严格的计算应该从电极电压 入手求解注入载流子、光场、电压以及温度分布的自洽解. 这是因为, 电极电压相对于注入电流、结电压和电阻分布; 结电压是激光器内非平衡载流子分布的函数; 而载流子分布决定光场和温度分布; 光场分布又通过受激复合反过来影响载流子分布. H adely 等试图求光场、注入载流子、温度以及电压的自洽解. 然而, 他们把结电压以及结电流作为与空间分布以及注入电流无关的量, 用小信号注入的方法处理. 这就必然引起误差, 因而不可能精确得到, 也没有给出注入电流以及电压分布[9]. 本文发展了一个对V CSEL s 的电、热和光波导特性的二维全自洽解. 电的部分包括载流子扩散方程和泊松方程, 光和热特性部分包括光波动方程和热导方程. 研究了V CSEL s 的电、热和光波导特性. 2　理论模型 211　VCSEL s 结构 图1　增益波导V CSEL s 剖面示意图 图1为V CSEL s 的结构示意图. N 型 和P 型的布拉格反射镜(DBR 分别由2715和1915个周期的A l A s A l 0. 16Ga 0. 84A s 组成. 三个In 0. 2Ga 0. 8A s GaA s 应变量子阱夹在Ga 0. 5A l 0. 5A s 组成的一波空间层中间. 阱和垒厚分别为8nm 和10nm . 所有以上各层生长在N +2GaA s 衬底上. P 型布拉格腔镜中用质子轰击或选择氧化方法形成高阻区, 用于减小电流扩展, 并在有源区中形成一个增益区. 激光从一个园形的窗口出射. 212　基本方程 选用柱坐标, 并假定坐标原点在V C 2SEL s 窗口的中心, z 方向垂直于窗口并指向衬底. 由于对称性, 只计算z 2r 平面内的 分量. 有源区中径向光场方程可写为[4]: r 9r r 9r +K 2 Ε0 -2 r 2-Β2z ?(r =0(1 这里　K 0和Ε0分别是真空中的传播常数和介电常数; ?(r 为光场的径向分量; Βz 是光波模式的传播常数; Ε是材料介