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扫描电子显微镜与电子探针(Scanning,Electron,Microscope,,简称SEMand,Electron,Probe,Micro-analysis,,简称EPMA,)一、简介二、基本物理概念三、主要参数四、工作模式与衬度原理五、主要部件六、应用举例七、电子探针柿准鲍禁蔼蝶佃骗仇诱小止顷杨扶涌份咎冀下骏惕壶慢絮食戌芜挎凸阂汐SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针一、简介,,SEM是利用聚焦电子束在样品上扫描时激发的某种物理信号来调制一个同步扫描的显象管在相应位置的亮度而成象的显微镜。疙挝扩徐灿烽怀宗今盎贯乃俞匙蒲瞅黑攀尔清绸祷掐坎通杖男乙季蠕胺乖SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针电子波长 E为电子能量，单位 eV 当 E = 30KeV 时, λ≈ 0.007nm与普通显微镜的差别：,,,,,,,,,,,普通显微镜,,,,,,,,SEM,,,基本原理,,,,,,光折射成象,,,,,,,同步扫描,,,入射束波长,,,,400,-,700,nm,,,,能量为E的电子,,,放大倍数,,,,,,,,～1600,,,,,,,,,,几十万,,,分辨率,,,,,,,,,,200,nm,,,,,,,,,,1.5,nm,,,景深,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,是普通显微镜的300倍戮泥试妹换概贫郁减严沁借危叼掘田韶泄勉懦侵捣煌支龄垃梨蛛昼咱垒叭SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针学习的重要性：▲,是形貌分析的重要手段▲,二次电子象在其它分析仪器中的应用▲,基本物理概念、仪器参数及基本单元的通用性,颇吸磊镭据樱奴禄钵擂仑栗嗓绘霄销其树听暑柬伍养厚卉屏孤贮竹侥歼咸SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针二、基本物理概念(一),电子与表面相互作用及与之相关的分析技术(二),信息深度(三),电子作为探束的分析技术特点淫蚂劣屁雷杰艳测鲜怜绞檀吴竹杉霓凹贼滤黎参者袄到陷囚篙慈垢辨沏莲SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针(一)电子与表面相互作用及与之相关的分析技术 1．信息种类及相应的分析技术： △ 背散射：经弹性散射或一次非弹性散射后 以θ 90°射出表面， E～Ep △ 特征能量损失 △ 多次散射后射出－形成本底 △ 在样品中停止，变为吸收电流 △ 从样品透射 (TEM)册扔桶箍搬绸忙啡凄猖粟聊肺实类访诧抢特栖篮乙乒毡槽遏墒捞苟竟蘑岳SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针 △ 二次电子：外层价电子激发 (SEM) △ 俄歇电子：内层电子激发 (AES) △ 特征X射线：内层电子激发 (EPMA) △ 连续X射线：轫致辐射(本底） 对于半导体材料： △ 阴极荧光 △ 电子束感生电流 娩羞埋厅瓷巧王痒莆堕慕藤拉诚辜雌揭鳖鹿坛粘未引塘朗挞耶殉撞沽洗皖SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针2．检测电子的能量分布仿柒琵容蔽狙专戎团粪覆灶料眷谦烽仁烫浑纂奴抄惭献醛降码魁伶亥软缠SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针(二),信息深度,,,,△,非弹性散射平均自由程：,,,,,,,,,具有一定能量的电子连续发生两次非弹性碰撞,,,,,,,之间所经过的距离的平均值。,,,,△,衰减长度：I,=,Ioe－t/λ,,,,,当电子穿过t,=,λ厚的覆盖层后，它的强度,,,将衰减为原来的1/e,称λ为衰减长度。△,通常近似地把衰减长度λ当作电子的非弹性散射平均,自由程，亦称为逸出深度。△,衰减长度和电子能量的关系：,,,实验结果：,,,,经验公式：λ=,(Ai/E2)+BiE1/2,,,,,其中A、B对于不同的元素及化合物,有不同的值.急车摇录消医叛蜕梨畴仟懦孙压懊冷满逾韵闷智辊灰饰蚂预代勾审模洞喝SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针△,信息深度：信号电子所携带的信息来自多厚的表面层？,,,,,,,,,,,,,,,通常用出射电子的逃逸深度来估计。,,但是当出射电子以同表面垂直方向成θ角射出时，电子所反映的信息深度应该是：,,,,,,,,,,,,,,,,,,,d,=λcosθ,,△,激发深度与信息深度：假杂刊基缆旦酬析穗废嘻柬层坝镍广舶烟裙吠星歇杉舆桌卷烧独哗绵垫牢SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子探针在扫描电镜中，由电子激发产生的主要信号的信息深度：,,俄歇电子,,,,,1,nm,(0.5-2,nm),,二次电子,,,,,5-50,nm,,背散射电子,,,50-500,nm,,X射线,,,,,,,0.1-1μm怒炎趣砒横胁逸园读系僚茄提玻炙硅殿景拴胰箕仙单君致翌捆桩爬银窒朱SEM扫描电子显微镜与电子探针SEM扫描电子显微镜与电子