数电新章大规模数字集成电路.pptxVIP

第五章 大规模数字集成电路2．5．1随机存取存储器（RAM） 2．5．2只读存储器ROM 2．5．3高密度可编程逻辑器件简介 2．5．4在系统可编程逻辑器件 2．5．5现场可编程门阵列FPGA 2．5．6应用PLD器件实现数字系统 常用大规模数字集成电路 半导体存储器 微处理器 大规模可编程逻辑器件 大规模专用数字集成电路 （ASIC）2．5．1随机存取存储器（RAM）存储大量二进制信息的器件 软磁盘 硬磁盘 磁带机 光盘 半导体存储器 半导体存储器特点半导体存储器通常与微处理器直接相连，用于存放微处理器的指令、数据。微处理器在工作过程中，不断对半导体存储器中的数据进行存或取操作 存取速度快集成度高功耗低体积小容量扩充方便 随机存取存储器(Random Access Memory) 加电写入的新信息取代原信息电路失电，信息全无 恢复供电，恢复信息是随机的 Bn-1 Bn-2 …… B0j列列地址译码器 ……i行An-1行地址译码器 ……An-2 ……存储单元（1位）…………………………j列A0 …… ……i行I/O及读写控制数据输入/输出 片选I/O控制存储单元（多位，4位）随机存取存储器的基本结构 存储体存储单元存储体或RAM的容量 存储单元的个数*每个存储单元中数据的位数 例如，一个10位地址的RAM，共有210个存储单元，若每个存储单元存放一位二进制信息，则该RAM的容量就是210（字）×1（位）=1024字位，通常称1K字位。 I/O缓冲 I/O缓冲起数据锁存作用，一般采用三态输出结构。因此，它可与外面的数据总线相连接，方便实现信息交换和传递 RAM的读写过程 （时序）访问某地址单元的地址码有效 片选有效 读/写操作有效RAM中的存储单元 按照数据存取的方式不同，RAM存储单元分为两种： 静态存储单元— 静态 RAM（SRAM）动态存储单元— 动态 RAM（DRAM） 静态存储单元（SRAM） 的典型结构除上述NMOS结构的静态存储单元外，还有CMOS结构的静态和双极型结构的存储单元。CMOS结构SRAM的特点是存储容量大，功耗相对较低双极型结构SRAM的特点为存取速度快 动态RAM存储单元的典型结构 静态RAM和动态RAM的比较静态RAM功耗大，密度低动态RAM功耗小，密度高动态RAM需要定时刷新，使用较复杂SRAM 2114SRAM容量的扩展 ---位数扩展 例，用RAM2114实现容量为1024×8字位容量(≈8K字位)的RAM SRAM容量的扩展 ---字位扩展 例，用RAM2114实现容量为4096×8字位容量(≈ 32 k字位)的RAM 2．5．2只读存储器ROM只读存储器的一般结构 半导体存储器ROM中的信息不能轻易地更改。一经写入，只能读出。即使掉电，原存储内容仍然不变。一旦恢复供电，信息能完全复原 A1A0WD3D2D1D000W0011101W1101110W2110011W300113例，4×4字位容量的只读存储器 4×4字位ROM器件的简化逻辑图表示 ROM的结构和可编程“与阵列”和可编程“或阵列”的结构相类似。与阵列由译码器构成，N位地址ROM的与阵列共有2N个与项（在这里称为“字”），每个与项对应地址输入的一个最小项，且不可编程。存储矩阵部分构成了可编程或阵列，每个或门的输出在此称为“位”。ROM的或阵列在器件制造时就进行了固定的编程 只读存储器ROM的种类 根据不同的半导体制造工艺，或阵列的编程方式有多种。存储器ROM 通常按其编程工艺 划分掩膜型只读存储器 一次编程(改写)的只读存储器PROM EPROM（紫外线擦除式可编程只读存储器UVEPROM）E2PROM（电擦除式可编程只读存储器EEPROM） 快闪存储器（FLASH Memory） 掩膜型只读存储器 用户提供的存储内容制造集成电路的厂家，在存储矩阵中的相应字位线交叉处用掩膜技术制作有半导体器件或无器件器件出厂后，该只读存储器ROM内容就固定不变，无法更改，只能供读出 一次编程(改写)的只读存储器PROM 特点：用户只能编程一次EPROM（紫外线擦除式可编程只读存储器UVEPROM）可多次编程，编程次数达100百次每次编程前，需先用UV擦除，时间约20分钟编程后需防空气中UV，数据可保存20年以上E2PROM（电擦除式可编程只读存储器EEPROM）EEPROM的擦除只需电信号（高压编程电压和高压脉冲），且擦除速度快。EEPROM可以单字节擦除或改写，而EPROM只能整片擦除。有些EEPROM可5V编程EEPROM既具有ROM器件的非易失性优点，又具备类似RAM器件的可读写功能（只不过写入速度相对较慢）快闪存储器（FLASH Memory） 每个存储单元只需单个MOS管，因此其结构比EEPROM更加简单，存储容量可以做得更大