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半导体器件热测量技术 2006年5月 一、温度T对半导体器件的影响 1、温度T升高，对半导体参数的影响； 2、温度T对半导体器件参数的影响； 3、温度T对半导体器件使用的可靠性的影响； 半导体器件工作寿命一般用著名的阿列尼乌斯关系表示。 这里tf为器件寿命，Ea为退化过程的激活能，T为器件的工作时温度。 红外热像仪法 温敏参数法： 半导体器件的许多参数都是温度的函数， 反过来可以用来测量温度。 要求：线性，简单。 哪些参数可以用来作为温敏参数？ 温度系数表示。一般用β表示，单位为mV/℃。温度系数β正比于半导体结的理想因子 ，其数值在-1.0mV/℃到-3.0mV/℃之间。 如何测量实际器件的温升？ 利用温敏参数测量半导体器件温升的主要问题是：测量状态与工作状态不重合 我们所需要的是半导体器件工作时，其温升是多少？ 解决该问题的主要方法： 利用快速开关电路技术。 GaAs MESFET测量脉冲时序图 半导体器件热特性测试仪的性能指标设计要求 1、快速。 2、高精度。 3、测量的程序化及自动化 ４、测量数据分析拟和的自动化 ５、测量恒温平台的自动恒温控制 GaAs ＭＥＳＦＥＴ ＰＮ结二级管器件 使用的一些关键技术－－截取放大 变化放大倍数 加热响应曲线的测量方法： 加热响应曲线的原理图 加热响应曲线的理论模拟 加热响应曲线的理论模拟 加热响应曲线： GaAs MESFET 加热测量结果 半导体发光二级管的测量结果 描述半导体器件的热特性的一些参数： 半导体器件的温升： ?T 稳态热阻：Rth 瞬态热阻：Rths 表观热阻：Rthp * * 为获得其寿命，必须知道工作温度T及激活能。 为缩短获得寿命的时间，通常施加加速应力。 1、温度应力。 2、电流应力 二、半导体器件温升的测量方法 1、红外热像仪方法 2、发光光谱法 3、液晶显示法 4、半导体器件的温敏参数法 为什么要非要使用半导体器件参数？ 使用常规的测量方法是否可行？ Vgs th td tc Ids t t t Vds Ids t t Vds td1 tc Vgs th t td2 Ids t tc Vpn th t td2 参考电压 Vgsf t R0 Rc R1 Rn . . . + _ 运算放大器 V0 Vi 恒温平台技术—恒温平台的重要性和必要性 瞬态加热响应测量技术 概念： 1、冷却响应曲线：是指当工作的器件去掉工作电压和电流后，有源区温度随时间的降温过程。 2、加热响应曲线：是指器件从工作电压和电流施加后，有源区温度随时间的上升过程。 用处：冷却响应曲线反映的是温度下降过程，可以用来拟合反退器件工作时的温度。 测量方法： 图5 时间 t 电流 I 。。。 tH1 tH2 tH3 tHn ?T tH tH1 tH2 tH3 。。。 tHn