半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态.pptVIP

半导体材料简述 第一章 半导体中的电子状态 半导体中电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 半导体中载流子的产生及导电机构 半导体的能带结构 §1-3半导体中载流子的产生及导电机构 一、载流子的产生 从E-k关系可以得到晶体中电子的有效质量 vo -b 0 a E为电子能量， mo 为电子质量 其中： 在 - b x 0 区： V = V0 k E –2π/1 –л/1 0 π/1 2π/1 第一布里渊区,对应内壳层分裂的能级能量 第二布里渊区,对应较高壳层的能级能量 2. 一维理想晶格中的电子态 -π/1 E（k） 0 π/1 k } 允带 } 允带 } 允带 自由电子 称第一布里渊区为简约布里渊区 禁带 允许带 晶体中的电子能量并不是可以取 任意值,有些能量是禁止的,而只是 在某一范围才可以. 3.允许带和禁带 电子刚好填满最后一个带 电子填充允许带时,可能出现: 最后一个带仅仅是部分被电子占有 →导体. →绝缘体和半导体 3s 2p 2s 1s 11#Na,它的电子在组态是:1s22s22p63s1 1.导体的能带 三、 导体、绝缘体和半导体的能带 Eg 电子能量 Ec Ev 能带图可简化成: 2.绝缘体和半导体的能带 导带 导带 半满带 禁带 价带 禁带 价带 满带 绝缘体、半导体和导体的能带示意图 常温下： Ge: Eg=0.67ev Si：Eg=1.12ev GaAs: Eg =1.43ev §1-2 半导体中电子的运动 有效质量 从粒子性出发,它具有一定的质量m0和运动速度V。 对自由空间的电子: 一、自由空间的电子: 从波动性出发,电子的运动看成频率为ν、 波矢为K的平面波在波矢方向的传输过程。 自由电子E与k 的关系 E k 0 对E(k)微分,得到: 2.V(k) 3.加速度a 二、半导体中的电子 晶体中作共有化运动的电子平均速度: 1.速度V 以一维情况为例 设E(k)在k=0处取得极值，在极值附近按泰勒级数展开： 得到能带极值附近电子的速度为 (1)在整个布里渊区内，V~K不是线形关系 (2)正负K态电子的运动速度大小相等,符号相反. (3)V(k)的大小与能带的宽窄有关 内层:能带窄,E(k)的变化比较慢, V(k)小. 外层:能带宽,E(k)的变化比较陡,V(k)大. 2.加速度 设E(k)在k=k0处取得极值 令 称m*为电子的有效质量 F外 + F内 = m0a F外 = m*a 三.m*的特点 1.决定于材料 2.与电子的运动方向有关 3.与能带的宽窄有关 内层:带窄, 小,m*大: 外层:带宽, 大,m*小. 0, m*0。 0, m*0。 导带底 价带顶 4.m*有正负之分 当E(k)曲线开口向上时, 当E(k)曲线开口向下时, 电子的m*0; 电子的m*0; 5.对于带顶和带底的电子,有效质量恒定 二、半导体的导电机构 满带：电子数=状态数 不满带： 价带：电子数空态数 导带：电子数空态数 1.满带 对电流无贡献 2.不满带 对电流有贡献 不满带 中的电 子 电流 * * * * * 固态材料可分为三类，即绝缘体、半导体及导体。 绝缘体: 电导率很低，约介于20-18S/cm～10-8S/cm,如熔融石英及玻璃； 导 体：电导率较高，介于104S/cm～106/cm，如铝、银等金属。 半导体：电导率则介于绝缘体及导体之间。 导电性 半导体的特点： 易受温度、照光、磁场及微量杂质原子的影响。 正是半导体的这种对电导率的高灵敏度特性使半导体成为各种电子应用中最重要的材料之一。 半导体材料的类型： 元素半导体：硅(Si)、锗(Ge) 化合物半导体：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InAs）等 硅、锗都是由单一原子所组成的元素半导体，均为周期表第IV族元素。 20世纪50年代初期，锗曾是最主要的半导体材料； 60年代初期以后，硅已取代锗成为半导体制造的主要材料。 硅的优势：硅器件在室温下有较佳的特性；高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生，成本低；硅含量占地表的25%，仅次于氧，储量丰富。 元素(elements)半导体 类别： 二元化合物半导体：由两种元素组成。 三元化合物半导体：由三种元素组成。 多元化合物半导体：由三种及以上元素组成。 二元化合物半导体： IV－IV族元素化合物半导体：碳化硅（SiC）； III-V族元素化合物半导体：砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InAs）等； II-VI族元